[发明专利]辊到辊原子层沉积设备和方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

使基底的第一表面上的第一边缘区域与第一支撑辊接合，其中所述第一支撑辊能够在轴的第一端部上旋转，并且其中所述基底的长度基本上大于所述基底的宽度；

使所述基底的所述第一表面上的第二边缘区域与第二支撑辊接合，其中所述第二支撑辊能够在所述轴的与其所述第一端部相反的第二端部上旋转，并且其中位于所述第一辊与所述第二辊之间并且构成所述基底的宽度的至少约50％的中心区域不受辊支撑；

在所述第一支撑辊和所述第二支撑辊之上传送所述基底；

重复下列步骤序列多次，以便足以在所述基底上形成薄膜：

(a)使所述基底暴露于第一前体；

(b)在将所述基底暴露于所述第一前体之后将反应性物质供应给所述基底以与所述第一前体反应；其中所述薄膜作为所述第一前体与所述反应性物质的反应产物形成；以及

将蒸气沉积在所述薄膜上以在所述薄膜上形成涂层。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在将所述蒸气沉积在所述薄膜上之前冷却所述基底。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，包括在将所述基底暴露于所述第一前体之前加热所述基底。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述基底的与其所述第一表面相反的第二表面基本上不接触所述反应性物质。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中将所述蒸气沉积在所述薄膜上发生在所述薄膜接触覆盖所述基底的宽度的超过50％的固体表面之前。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述薄膜具有1nm至100nm的厚度。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中重复步骤在步骤(b)之后还包括(c)，使所述基底暴露于第二前体，以及(d)在将所述基底暴露于所述第二前体之后将反应性物质供应给所述基底。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，还包括将所述支撑辊中的至少一个相对于所述基底的运动方向成角度取向。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中所述反应性物质通过向化学化合物施加能量来生成。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中所述反应性物质通过将化学化合物引入等离子体中来生成。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中所述薄膜通过原子层沉积来沉积。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括在沉积所述薄膜之前将蒸气沉积在所述基底上以在所述基底的所述第一表面上形成涂层。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的方法，还包括在将所述蒸气沉积在所述基底上之前通过供应等离子体来预处理所述基底的所述第一表面。

14.根据权利要求1至12中任一项所述的方法，还包括使所述涂层固化在所述薄膜或所述基底的所述第一表面上。