[发明专利]字线调节方案

权利要求书

1.一种存储器，包括：

包含晶体管的存储器单元；以及

通过字线耦合到所述存储器单元的字线驱动器，所述字线驱动器被配置为调节所述字线的电压电平以补偿所述晶体管的参数，

其中所述字线驱动器进一步包括被耦合到所述字线以调节所述电压电平的下拉晶体管，以及用以偏置所述下拉晶体管的传输门晶体管，所述下拉晶体管与驱动所述字线的缓冲器分开，其中所述晶体管是n型晶体管，并且所述传输门晶体管的阈值电压在较快n型晶体管的情形中比在较慢n型晶体管的情形中更低。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述参数包括至少基于所述晶体管的跨导的所述晶体管的速度。

3.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述字线驱动器被进一步配置为在较快n型晶体管的情形中较多地下拉所述字线的电压电平，以及在较慢n型晶体管的情形中较少地下拉所述字线的电压电平。

4.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述参数进一步包括所述晶体管的阈值电压或所述晶体管的温度中的至少一者。

5.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述下拉晶体管直接耦合到所述字线以调节所述电压电平。

6.如权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述传输门晶体管被耦合在所述字线和所述下拉晶体管的栅极之间。

7.如权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述下拉晶体管包括栅极、并且其中所述传输门晶体管耦合在所述字线与所述栅极之间。

8.如权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述下拉晶体管和传输门晶体管中的每一者包括n沟道晶体管。

9.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器单元包括锁存器和位线，并且其中所述晶体管包括将所述位线耦合到所述锁存器的存取晶体管。

10.如权利要求9所述的存储器，其特征在于，所述锁存器包括至少一个p型晶体管和至少一个n型晶体管，其中所述至少一个p型晶体管和所述至少一个n型晶体管是相同的大小。

11.如权利要求10所述的存储器，其特征在于，所述至少一个p型晶体管、所述至少一个n型晶体管和所述存取晶体管包括finFET晶体管，并包括相同数目的鳍。

12.一种用于操作存储器的方法，包括：

断言字线电压以访问包括晶体管的存储器单元；

调节所述字线电压以补偿所述晶体管的参数；

通过下拉晶体管下拉所述字线电压，所述下拉晶体管与驱动所述字线的缓冲器分开；以及

通过传输门晶体管偏置所述下拉晶体管，其中所述晶体管是n型晶体管，并且所述传输门晶体管的阈值电压在较快n型晶体管的情形中比在较慢n型晶体管的情形中更低。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述参数包括至少基于所述晶体管的跨导的所述晶体管的速度。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：

在较快n型晶体管的情形中，较多地下拉所述字线电压；以及

在较慢n型晶体管的情形中，较少地下拉所述字线电压。

15.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述参数进一步包括所述晶体管的阈值电压和所述晶体管的温度中的至少一者。

16.如权利要求12所述的方法，其特征在于，通过下拉晶体管下拉所述字线电压包括通过直接耦合到所述字线的下拉晶体管下拉所述字线电压。