[发明专利]用于铁电存储器单元感测的偏移补偿

说明书

本申请案涉及用于铁电存储器单元感测的偏移补偿。描述用于操作(若干)铁电存储器单元的方法、系统及装置。可通过使用各种操作技术或额外电路组件或两者来补偿经连接到数字线的切换组件(例如，晶体管)的阈值电压的偏移。例如，经连接到数字线的切换组件还可连接到经选择以补偿阈值电压偏移的偏移电容器。所述偏移电容器可结合读取操作放电，从而导致施加到所述切换组件的阈值电压。这可使所述铁电存储器单元的全部或实质上全部经存储电荷能够被提取且经由所述晶体管转移到感测电容器。感测放大器可比较所述感测电容器的电压与参考电压以便确定所述存储器单元的经存储逻辑状态。

交叉参考

本专利申请案主张2017年3月10日申请的第PCT/US2017/021884号PCT申请案的优先权，所述PCT申请案主张2016年3月11日申请的维梅尔卡蒂(Vimercati)的标题为“用于铁电存储器单元感测的偏移补偿(Offset Compensation for Ferroelectric Memory CellSensing)”的让渡给其受让人的第15/067,838号美国专利申请案的优先权，所述案中的每一者的全文以引用的方式的并入本文中。。

技术领域

技术领域涉及用于铁电存储器单元感测的偏移补偿。

背景技术

下文大体上涉及存储器装置，且更具体来说，涉及用于铁电存储器单元感测的偏移补偿。

存储器装置广泛用于将信息存储于各种电子装置中，例如计算机、无线通信装置、摄像机、数字显示器及类似物。通过对存储器装置的不同状态进行编程而存储信息。例如，二进制装置具有两个状态，其通常通过逻辑“1”或逻辑“0”表示。在其它系统中，可存储两个以上状态。为存取所存储的信息，电子装置可读取(或感测)存储器装置中的存储状态。为存储信息，电子装置可将状态写入(或编程)于存储器装置中。

存在多个类型的存储器装置，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器等等。存储器装置可为易失性或非易失性。非易失性存储器(例如，快闪存储器)可甚至在不存在外部电源的情况下存储数据达延长时段。易失性存储器装置(例如，DRAM)可随时间丢失其存储状态，除非其通过外部电源周期性刷新。二进制存储器装置可(例如)包含充电或放电电容器。充电电容器可随时间经由泄漏电流放电，导致存储信息的丢失。易失性存储器的特定特征可提供性能优势，例如更快的读取或写入速度，而非易失性存储器的特征(例如在无周期性刷新的情况下存储数据的能力)可为有利的。

FeRAM可使用类似于易失性存储器的装置架构，但可因为使用铁电电容器作为存储装置而具有非易失性性质。因此，相较于其它非易失性及易失性存储器装置，FeRAM装置可具有改进性能。然而，一些FeRAM感测方案可在确定经存储逻辑状态时仅提取铁电电容器的存储电荷的部分。这可降低感测操作的可靠性或可限制原本可实现的存储器单元(或阵列)大小减小。

发明内容

描述一种用于操作铁电存储器单元的方法。在一些实例中，所述方法可包含使与所述铁电存储器单元电子通信的数字线虚拟接地；将与第一切换组件电子通信的第一偏移电容器放电；及经由所述第一切换组件将所述铁电存储器单元的经存储电荷转移到感测电容器，其中在所述数字线虚拟接地时且在所述第一偏移电容器已放电之后转移所述经存储电荷。

描述一种电子存储器设备。在一些实例中，所述设备可包含：第一p型场效晶体管(FET)；铁电存储器单元，其经由数字线与所述第一p型FET的源极电子通信；感测电容器，其经由第一切换组件与所述第一p型FET的漏极电子通信；及第一偏移电容器的第一端子，其与所述第一p型FET的栅极电子通信。