[发明专利]包括具有低储能模量的有机硅基底层的光学有机硅双面胶带在审
| 申请号: | 201780016449.9 | 申请日: | 2017-03-24 |
| 公开(公告)号: | CN108779372A | 公开(公告)日: | 2018-11-09 |
| 发明(设计)人: | 崔镐珍;全珉哲;金仙熙 | 申请(专利权)人: | 美国陶氏有机硅公司 |
| 主分类号: | C09J7/25 | 分类号: | C09J7/25;C09J7/38 |
| 代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 徐舒 |
| 地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机硅基 双面胶带 有机硅 多层粘合剂 压敏粘合剂层 储能模量 隔离衬片 | ||
1.一种光学有机硅双面胶带,包括:
多层粘合剂层,所述多层粘合剂层包括;
有机硅基底层,以及
在所述有机硅基底层的至少一个面上形成的压敏粘合剂层;以及
在所述多层粘合剂层的两个面上形成的隔离衬片;
其中所述压敏粘合剂层具有比所述有机硅基底层高的G'模量。
2.根据权利要求1所述的光学有机硅双面胶带,其中所述多层粘合剂层为双层粘合剂层,所述双层粘合剂层由所述有机硅基底层和具有高于所述有机硅基底层的G'模量的压敏粘合剂层组成。
3.根据权利要求1所述的光学有机硅双面胶带,其中所述有机硅基底层包括具有最低G'模量的有机硅基底层和具有比所述最低G'模量的有机硅基底层高的模量的另一有机硅基底层,并且其中所述压敏粘合剂层具有最高G'模量。
4.根据前述权利要求中任一项所述的光学有机硅双面胶带,其中所述有机硅基底层具有的G'模量在-40℃下为0.1MPa至5MPa,在-20℃下为0.05MPa至0.5MPa,在0℃下为0.02MPa至0.2MPa,并且在60℃下为0.01MPa至0.1MPa。
5.根据前述权利要求中任一项所述的光学有机硅双面胶带,其中所述有机硅基底层的厚度为0.01mm至3mm。
6.根据前述权利要求中任一项所述的光学有机硅双面胶带,其中所述压敏粘合剂层具有的G'模量在-40℃下为5MPa至1000Mpa,在-20℃下为0.5MPa至500MPa,在0℃下为0.2MPa至10MPa,并且在60℃下为0.02MPa至1MPa。
7.根据前述权利要求中任一项所述的光学有机硅双面胶带,其中所述压敏粘合剂层的厚度为0.005mm至0.03mm。
8.根据前述权利要求中任一项所述的光学有机硅双面胶带,其中所述隔离衬片是含氟有机硅或有机硅隔离衬片。
9.根据前述权利要求中任一项所述的光学有机硅双面胶带,其中在所述有机硅基底层的两个面上形成压敏粘合剂层。
10.一种冲击吸收层,包括根据前述权利要求中任一项所述的光学有机硅双面胶带。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美国陶氏有机硅公司,未经美国陶氏有机硅公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780016449.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:表面保护膜
- 下一篇:镍和含有镍的合金作为粘合剂配制物中导电填料的用途





