[发明专利]切割芯片接合片、半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供一种切割芯片接合片(101)，其在基材(11)上具备粘合剂层(12)、且在粘合剂层(12)上具备膜状粘接剂(13)而成，粘合剂层(12)的厚度为20μm～50μm，粘合剂层(12)的断裂伸长率为5％～50％。一种半导体芯片(9)的制造方法，该方法通过在该切割芯片接合片(101)的膜状粘接剂(13)的第1面(13a)上形成设置半导体晶片而成的中间结构体，使用切割刀在所述中间结构体上形成从所述半导体晶片的表面到达粘合剂层(12)但不到达基材(11)的切口(10)，由此分割所述半导体晶片。

技术领域

本发明涉及切割芯片接合片、半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法。

本申请基于2016年3月10日在日本提出申请的日本特愿2016-046904号主张优先权，并将该内容引用至本文中。

背景技术

切割芯片接合片例如在基材上依次具备粘合剂层及膜状粘接剂而构成，利用该膜状粘接剂贴附至半导体晶片上而使用。固定于切割芯片接合片上的半导体晶片通过切割而与粘合剂层及膜状粘接剂一起被分割，单片化为半导体芯片。其后，例如在粘合剂层为固化性的情况下，预先使粘合剂层固化而降低粘合性，将具备切断后的膜状粘接剂的半导体芯片从该固化后的粘合剂层剥离并拾取。所拾取的半导体芯片利用膜状粘接剂芯片接合于基板的电路面，根据需要在该半导体芯片上进一步层叠1个以上的其它半导体芯片，并进行引线接合后，利用树脂将整体密封。使用这样获得的半导体封装，最终制造目标半导体装置。

切割例如通过使用切割刀，一边使该切割刀旋转一边切入半导体晶片而进行。但是，在该切割方法中，由于利用切割刀将半导体晶片与切割芯片接合片的至少一部分切削，所以会产生切削屑。切割虽然一边利用水洗净切口部位一边进行，但无法完全冲洗掉切削屑，因此，若切削屑的量多，则一部分切削屑在切割后会附着于所获得的半导体芯片、该半导体芯片所具备的已切断的膜状粘接剂上而容易残存。但是，具备切断后的膜状粘接剂的半导体芯片若这样残存切削屑，则有时无法正常地进行拾取。即，若切割时的切削屑的产生量多，则会导致拾取不良。

另一方面，在使用切割刀进行半导体晶片的切割时，作为能够抑制切削屑附着于半导体芯片的构件，公开有在基材膜上具备由60℃～100℃下的贮能模量为特定范围内的粘合剂构成的放射线固化型丙烯酸系粘合剂层而成的半导体晶片固定用粘合带(参照专利文献1)。该粘合带相当于切割片，在粘合带的粘合剂层上进一步设置膜状粘接剂(即芯片接合膜)，并用于切割。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-027215号公报

发明内容

发明所要解决的课题

然而，虽然专利文献1中公开有在使用切割刀进行切割的情况下通过使用上述文献所记载的切割片(即半导体晶片固定用粘合带)而能够抑制切削屑的产生，但并未公开具备膜状粘接剂的半导体芯片的拾取适应性。

因此，本发明的目的在于，提供一种切割芯片接合片、以及使用该切割芯片接合片的半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法，该切割芯片接合片在使用切割刀进行半导体晶片的切割时，能够降低切削屑的产生量，能够抑制具备膜状粘接剂的半导体芯片的拾取不良的发生。

用于解决课题的技术方案

为了解决上述课题，本发明提供一种切割芯片接合片，其在基材上具备粘合剂层、且在上述粘合剂层上具备膜状粘接剂而成，上述粘合剂层的厚度为20μm～50μm，上述粘合剂层的断裂伸长率为5％～50％。

在本发明的切割芯片接合片中，优选上述粘合剂层为非能量线固化性。

在本发明的切割芯片接合片中，优选上述粘合剂层对上述膜状粘接剂的粘合力为35mN/25mm～300mN/25mm。