[发明专利]用于在存储器装置镜像命令/地址或解译命令/地址逻辑的技术

权利要求书

1.一种设备，包括：

双列直插式存储器模块（DIMM）的第一侧上的存储器装置的电路，所述电路包括逻辑，所述逻辑的至少一部分包括硬件，所述逻辑用于：

接收指示到所述目标存储器装置的第一命令/地址的命令/地址信号；

基于所述存储器装置的短接引脚来确定要镜像所述命令/地址信号中指示的所述第一命令/地址；以及

将所述第一命令/地址镜像到所述存储器装置，使得所述命令/地址信号中指示的所述第一命令/地址是到所述DIMM的第二侧上的存储器装置的第二命令/地址的镜像。

2.如权利要求1所述的设备，用于将所述第一命令/地址镜像到所述目标存储器装置的所述逻辑包括用于将到所述目标存储器装置的相应偶数编号的命令/地址与到所述目标存储器装置的相应下一更高奇数编号的命令/地址进行交换的逻辑。

3.如权利要求1所述的设备，用于基于所述短接引脚来确定所述命令/地址信号中指示的所述第一命令/地址是所述第二命令/地址的所述镜像的所述逻辑包括用于确定所述短接引脚被连接到所述目标存储器装置的功率引脚的逻辑。

4.如权利要求3所述的设备，所述功率引脚包括输出存储漏极功率电压（VDDQ）引脚。

5.如权利要求1所述的设备，所述DIMM包括注册的DIMM（RDIMM）、低功率DIMM（LPDIMM）、负载减少的DIMM（LRDIMM）、全缓冲的DIMM（FB-DIMM）、未缓冲的DIMM（UDIMM）或小外形DIMM（SODIMM）。

6.如权利要求1所述的设备，包括所述存储器装置，所述存储器装置将包括非易失性存储器或易失性存储器，其中所述易失性存储器包括动态随机存取存储器（DRAM）并且所述非易失性存储器包括三维交叉点存储器、使用硫族化物相变材料的存储器、多阈值级NAND闪速存储器、NOR闪速存储器、单级或多级相变存储器（PCM）、电阻存储器、奥式存储器、纳米线存储器、铁电晶体管随机存取存储器（FeTRAM）、结合忆阻器技术的磁阻随机存取存储器（MRAM）存储器，或自旋转移矩MRAM（STT-MRAM）。

7.一种方法，包括：

由双列直插式存储器模块（DIMM）的第一侧上的目标存储器装置处的电路来接收指示到所述目标存储器装置的第一命令/地址的命令/地址信号；

基于所述目标存储器装置的短接引脚来确定要镜像所述命令/地址信号中指示的所述第一命令/地址；以及

将所述第一命令/地址镜像到所述目标存储器装置，使得所述命令/地址信号中指示的所述第一命令/地址是到所述DIMM的第二侧上的非目标存储器装置的第二命令/地址的镜像。

8.如权利要求7所述的方法，将所述第一命令/地址镜像到所述目标存储器装置包括将到所述目标存储器装置的相应偶数编号的命令/地址与到所述目标存储器装置的相应下一更高奇数编号的命令/地址进行交换。

9.如权利要求7所述的方法，基于所述短接引脚来确定所述命令/地址信号中指示的所述第一命令/地址是所述第二命令/地址的所述镜像包括所述短接引脚被连接到所述目标存储器装置的功率引脚。

10.如权利要求9所述的方法，所述功率引脚包括输出存储漏极功率电压（VDDQ）引脚。

11.一种设备，包括用于执行权利要求7至10中任一项的所述方法的部件。

12.一种设备，包括：

双列直插式存储器模块（DIMM）的第一侧上的存储器装置的电路，所述电路包括逻辑，所述逻辑的至少一部分包括硬件，所述逻辑用于：

接收命令/地址信号；

基于所述存储器装置的短接引脚来确定由所述命令/地址信号指示的命令/地址逻辑是否已被反转；以及

基于所述确定来解译由所述命令/地址信号指示的所述命令/地址逻辑。