[发明专利]掩模一体型表面保护带

权利要求书

1.一种掩模一体型表面保护带，其为在包括下述工序(a)～(d)的半导体芯片的制造中使用的掩模一体型表面保护带，其特征在于，

所述掩模一体型表面保护带在基材膜上依序具有放射线固化型粘合剂层和放射线固化型掩模材料层，在下述工序(b)中，在放射线照射前，该粘合剂层与该掩模材料层之间剥离，在从粘合剂层侧照射放射线进行固化后，该掩模材料层与图案面剥离，以重贴已在半导体晶片的图案面贴合过一次的掩模材料层，

所述掩模材料层和所述粘合剂层均含有(甲基)丙烯酸系共聚物和放射线聚合性化合物，

形成粘合剂层的(甲基)丙烯酸系共聚物与形成掩模材料层的(甲基)丙烯酸系共聚物的酸值之差为1.0mgKOH/g～10mgKOH/g，

[工序(a)～(d)]

(a)在将掩模一体型表面保护带贴合于半导体晶片的图案面侧的状态下，对该半导体晶片的背面进行磨削，将晶片固定带贴合于磨削后的半导体晶片的背面，利用环形框进行支持固定的工序；

(b)从所述掩模一体型表面保护带将所述基材膜与所述粘合剂层一体地剥离而使所述掩模材料层露出于表面，之后利用激光将该掩模材料层中与半导体晶片的切割道相当的部分切断，使半导体晶片的切割道开口的工序；

(c)通过SF₆等离子体以所述切割道分割半导体晶片，从而单片化为半导体芯片的等离子体切割工序；和

(d)通过O₂等离子体去除所述掩模材料层的灰化工序。

2.如权利要求1所述的掩模一体型表面保护带，其特征在于，

利用放射线照射进行固化前的所述掩模材料层与所述粘合剂层之间的密合力为2.0N/25mm以下。

3.如权利要求1或2所述的掩模一体型表面保护带，其特征在于，

所述掩模材料层和所述粘合剂层均含有(甲基)丙烯酸系共聚物和放射线聚合性化合物，该放射线聚合性化合物具有2官能或3官能以上的放射线聚合性官能团且重均分子量为2,000～20,000的范围。

4.如权利要求3所述的掩模一体型表面保护带，其特征在于，

所述掩模材料层所含有的所述(甲基)丙烯酸系共聚物和所述粘合剂层所含有的所述(甲基)丙烯酸系共聚物的玻璃化转变温度(Tg)均为-25℃～-5℃，该(甲基)丙烯酸系共聚物的至少一者的酸值为0mgKOH/g～10mgKOH/g。

5.如权利要求1或2所述的掩模一体型表面保护带，其特征在于，

所述掩模材料层和所述粘合剂层中所用的固化剂均为异氰酸酯系固化剂。

6.如权利要求1或2所述的掩模一体型表面保护带，其特征在于，

所述掩模材料层和所述粘合剂层中所用的固化剂均为环氧系固化剂。