[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

存储单元、参考用存储单元、第一电路以及第二电路，

其中，所述存储单元生成对应于第一模拟数据的第一电流并生成对应于所述第一模拟数据及第二模拟数据的第二电流，

所述参考用存储单元生成对应于参考数据的参考电流，

所述第一电路在所述第一电流小于所述参考电流时生成并保持对应于所述第一电流与所述参考电流之差的第三电流，

所述第二电路在所述第一电流大于所述参考电流时生成并保持对应于所述第一电流与所述参考电流之差的第四电流，

所述第一电路和所述第二电路中的一个从所述第三电流和所述第四电流中的一个及所述第二电流生成第五电流，并且

所述第五电流对应于第三模拟数据。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

第一布线，该第一布线电连接到所述第一电路、所述第二电路及所述存储单元；以及

第二布线，该第二布线电连接到所述参考用存储单元。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

电流源电路；

第一布线，该第一布线电连接到所述电流源电路、所述第一电路、所述第二电路及所述存储单元；以及

第二布线，该第二布线电连接到所述电流源电路及所述参考用存储单元。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述存储单元和所述参考用存储单元的每一个包括晶体管，

并且所述半导体装置还包括：

电流源电路；

第一布线，该第一布线电连接到所述电流源电路、所述第一电路、所述第二电路以及所述存储单元的所述晶体管的源极和漏极中的一个；以及

第二布线，该第二布线电连接到所述电流源电路以及所述参考用存储单元的所述晶体管的源极和漏极中的一个。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述存储单元和所述参考用存储单元的每一个包括第一晶体管、第二晶体管以及电容元件，

所述半导体装置还包括：

电流源电路；

第一布线，该第一布线电连接到所述电流源电路、所述第一电路、所述第二电路以及所述存储单元的所述第一晶体管的源极和漏极中的一个；以及

第二布线，该第二布线电连接到所述电流源电路以及所述参考用存储单元的所述第一晶体管的源极和漏极中的一个，

并且在所述存储单元和所述参考用存储单元的每一个中，所述第一晶体管的栅极电连接到所述第二晶体管的源极和漏极中的一个以及所述电容元件的电极。

6.一种半导体装置，包括：

第一存储单元、第二存储单元、第一参考用存储单元、第二参考用存储单元、第一电路以及第二电路，

其中，所述第一存储单元生成对应于第一模拟电位的第一电流并生成对应于所述第一模拟电位及第二模拟电位的第二电流，

所述第二存储单元生成对应于第三模拟电位的第三电流并生成对应于所述第三模拟电位及第四模拟电位的第四电流，

所述第一参考用存储单元生成对应于参考电位的第一参考电流，

所述第二参考用存储单元生成对应于所述参考电位的第二参考电流，

所述第一电路在所述第一电流及所述第三电流之和小于所述第一参考电流及所述第二参考电流之和时生成并保持对应于所述第一电流及所述第三电流之和与所述第一参考电流及所述第二参考电流之和的差的第五电流，

所述第二电路在所述第一电流及所述第三电流之和大于所述第一参考电流及所述第二参考电流之和时生成并保持对应于所述第一电流及所述第三电流之和与所述第一参考电流及所述第二参考电流之和的差的第六电流，

所述第一电路和所述第二电路中的一个从所述第二电流和所述第四电流之和、以及所述第五电流和所述第六电流中的一个生成第七电流，并且

所述第七电流对应于第五模拟电位。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，还包括：

第一布线，该第一布线电连接到所述第一电路、所述第二电路、所述第一存储单元及所述第二存储单元；以及

第二布线，该第二布线电连接到所述第一参考用存储单元及所述第二参考用存储单元。