[发明专利]提供存储元件的方法

权利要求书

1.一种形成包括金属、金属化合物或金属氧化物的薄膜的方法，所述方法包括通过采用反应物前体和/或相对量的反应物前体的薄膜沉积工艺来形成金属或金属氧化物的一个或多个薄膜层，所述反应物前体和/或相对量的反应物前体被选择以沉积具有从至少一种反应物前体得到的受控量的掺杂剂的薄膜层。

2.根据权利要求1所述的方法，所述方法包括形成具有受控量的掺杂剂的第一薄膜层，并形成具有受控量的掺杂剂的第二薄膜层，其中，所述第二薄膜层的掺杂剂的受控量与所述第一薄膜层的掺杂剂的受控量不同。

3.根据权利要求2所述的方法，所述方法进一步包括形成具有受控量的掺杂剂的第三薄膜层，其中所述第三薄膜层的掺杂剂的受控量与所述第二薄膜层的掺杂剂的受控量不同。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其中，形成所述第一薄膜层采用反应物前体，所述反应物前体被选择为与用于形成所述第二薄膜层的反应物前体不同。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，形成所述第三薄膜层采用反应物前体，所述反应物前体被选择为与用于形成所述第二薄膜层的反应物前体不同。

6.根据权利要求2至5中任一项所述的方法，其中，形成所述第一薄膜层采用相对量的反应物前体，所述相对量的反应物前体被选择为与用于形成所述第二薄膜层的工艺条件不同。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述第三薄膜层采用相对量的反应物前体，所述相对量的反应物前体被选择为与用于形成所述第二薄膜层的工艺条件不同。

8.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，形成每个薄膜层采用相同沉积温度。

9.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，所述反应物前体包括选自由以下各项组成的组的金属卤化物或有机金属化合物：NiCl₄、Ni(AMD)、Ni(Cp)₂、Ni(thd)₂、Ni(acac)₂、Ni(CH₃C₅H₄)₂、Ni(dmg)₂、Ni(apo)₂、Ni(dmamb)₂、Ni(dmamp)₂、Ni(C₅(CH₃)₅)₂和Ni(CO)₄。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述反应物前体包括选自由以下各项组成的组的氧化剂：O₂、O₃、氧等离子体物质、H₂O、D₂O、H₂O₂、NO、N₂O、CO和CO₂。

11.一种用于制造存储元件的方法，所述方法包括：通过沉积包括第一数量的掺杂剂的第一薄膜层、包括第二数量的掺杂剂的第二薄膜层以及包括第三数量的掺杂剂的第三薄膜层的气相沉积工艺在衬底上形成相关电子材料的薄膜，其中掺杂剂的所述第二数量不同于掺杂剂的所述第一数量和掺杂剂的所述第三数量。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，掺杂剂的所述第二数量大于掺杂剂的所述第一数量和掺杂剂的所述第三数量。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，掺杂剂的所述第二数量小于掺杂剂的所述第一数量和掺杂剂的所述第三数量。

14.根据权利要求11至13中任一项所述的方法，其中，掺杂剂的所述第一数量和掺杂剂的所述第三数量是相同的。