[发明专利]用于半导体结构的支撑件

权利要求书

1.一种用于半导体结构的支撑件(1)，该支撑件包括被设置在基础衬底(3)上的电荷俘获层(2)，其特征在于，所述电荷俘获层(2)由多晶主层(2a)和插在所述多晶主层(2a)内或所述多晶主层(2a)与所述基础衬底(3)之间的至少一个中间层(2b)构成，所述至少一个中间层由硅碳合金或碳组成，所述至少一个中间层(2b)具有大于1000ohm.cm的电阻率。

2.根据权利要求1所述的支撑件(1)，其中，所述基础衬底(3)具有大于1000ohm.cm的电阻率。

3.根据权利要求1或2所述的支撑件(1)，其中，所述电荷俘获层(2)具有大于5或10微米的厚度。

4.根据权利要求1或2所述的支撑件(1)，该支撑件包括1至10个中间层(2b)。

5.根据权利要求1或2所述的支撑件(1)，该支撑件包括所述多晶主层(2a)与所述基础衬底(3)之间的由碳组成的单个中间层(2b)。

6.根据权利要求1或2项所述的支撑件(1)，其中，所述多晶主层(2a)由具有在100nm至1000nm之间的尺寸的硅晶粒构成。

7.根据权利要求1或2所述的支撑件(1)，其中，所述至少一个中间层(2b)中的每一者具有小于10nm或5nm的厚度。

8.根据权利要求1或2所述的支撑件(1)，该支撑件在所述电荷俘获层(2)上包括绝缘层(4)。

9.根据权利要求1或2所述的支撑件(1)，其中，所述至少一个中间层(2b)由具有多于5％的碳的硅碳合金组成。

10.根据权利要求9所述的支撑件(1)，其中，所述至少一个中间层(2b)是碳化硅。

11.一种半导体结构，该半导体结构包括：

根据权利要求1至10中任一项所述的支撑件；

所述支撑件上的绝缘层(4、6)；以及

所述绝缘层上的有用层(5)。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其中，所述有用层(5)包括至少一个集成器件。

13.一种用于制造半导体结构的方法，该方法包括以下步骤：

a.提供根据权利要求1至10中任一项所述的支撑件(1)；以及

b.在所述支撑件(1)上形成所述半导体结构。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，在所述支撑件(1)上形成所述半导体结构的步骤包括将有用层(5)转移到所述支撑件。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述有用层(5)包括至少一个集成器件。