[发明专利]热交换器在审
| 申请号: | 201780011854.1 | 申请日: | 2017-02-14 |
| 公开(公告)号: | CN108701745A | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
| 发明(设计)人: | J·格林伍德;C·海涅卡 | 申请(专利权)人: | 马勒国际有限公司 |
| 主分类号: | H01L35/06 | 分类号: | H01L35/06 |
| 代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 杨黎峰;钟锦舜 |
| 地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 肋状结构 调温装置 热交换器 基础层 连接层 连接结构 掺杂的 半导体 珀耳帖元件 电接触 电绝缘 电连接 高负荷 导电 热电 | ||
1.一种热交换器(1),其具有:
-可被第一流体穿流的流动腔(2),
-布置在所述流动腔(2)中并且可被所述第一流体穿流的肋状结构(4),
-用于与所述第一流体进行热交换的热传递腔(3),
-布置在所述肋状结构(4)和所述热传递腔(3)之间的、用于在所述热传递腔(3)和所述流动腔(2)之间进行热传递的热电调温装置(6),
-其中,所述调温装置(6)具有至少一个具有彼此电接触的p-掺杂的P型半导体(8)和n-掺杂的N型半导体(9)的珀耳帖元件,
-其中,在所述肋状结构(4)的面对所述珀耳帖元件(7)的一侧设置有多个连接结构(12),
-其中,所述相应的连接结构(12)具有电绝缘的基础层(13)以及导电的连接层(14),
-其中,所述肋状结构(4)设有所述基础层(13),
-其中,所述连接层(14)被施加在所述基础层(13)的背离所述肋状结构(4)的一侧,
-其中,这种P型半导体(8)和用于与所述半导体(8、9)电接触的这种N型半导体(9)在所述连接层(14)的一侧安装在所述连接层(14)的背离所述基础层(13)的一侧。
2.根据权利要求1所述的热交换器,其特征在于,所述肋状结构(4)通过氧化设有所述基础层(13)。
3.根据权利要求2所述的热交换器,其特征在于,所述肋状结构(4)通过还原-氧化反应设有所述基础层(13)。
4.根据权利要求2或3所述的热交换器,其特征在于,通过所述肋状结构(4)的氧化或还原-氧化反应制造所述基础层(13)。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的热交换器,其特征在于,所述基础层(13)以铝阳极氧化的方式施加到所述肋状结构(4)上。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的热交换器,其特征在于,所述热传递腔(3)被第二流体穿流并且由管(5)限制,其中,所述热电调温装置(6)布置在所述肋状结构(4)和所述管(5)之间。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的热交换器,其特征在于,所述热传递腔(3)被第二流体穿流并且由板结构(19)限制,其中,所述热调温装置(6)布置在所述肋状结构(4)和所述板结构(9)之间。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的热交换器,其特征在于,所述基础层(13)大于所述相关的连接层(14),特别是具有比所述相关的连接层(14)更大的横截面。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的热交换器,其特征在于,为至少两个这种连接层(14)分配这种共同的基础层(13)。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的热交换器,其特征在于,所述基础层(13)具有柔性,所述柔性与所述肋状结构(4)相匹配和/或与布置在所述半导体(8、9)的背离所述基础层(13)的一侧的部件(5、19)相匹配。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的热交换器,其特征在于,所述连接层(14)具有柔性,所述柔性与所述肋状结构(4)、特别是所述基础层(13)和/或与布置在所述半导体(8、9)的背离所述基础层(13)的一侧的组件(5、9)相匹配。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的热交换器,其特征在于,所述基础层(13)具有至少1W/(mK)的导热能力。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的热交换器,其特征在于,所述连接层(14)具有从面对所述基础层(13)的一侧延伸到背离所述基础层(13)的一侧的连接层厚度(15),所述厚度比所述连接层(14)的横向于所述连接层厚度(15)延伸的宽度(16)和/或横向于所述连接层厚度(15)且横向于所述宽度(16)延伸的长度小至少10倍。
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