[发明专利]用于RERAM的固体电解质

权利要求书

1.一种组合物，其包含

(i)包含金属氧化物作为基质材料的基质，所述金属氧化物包含至少两种金属M1和M2和

(ii)在所述基质中活动的金属M3

其中

-M1与M2的原子比在75:25至99.99:0.01的范围内；

-M1、M2和M3的价态都是正数；

-M1的价态大于M2的价态；

-M2的价态等于或大于M3的价态；且

-金属M1、M2和M3不同，

其中

M1选自Si和Ge，

M2选自Al、Ga、In、Tl、Sc、Y、La、Ac或其混合物；

M3选自Ag和Cu，

其中基于所述组合物的总重量计，不同于M1、M2和M3的金属的总浓度低于100ppm。

2.根据权利要求1的组合物，其中M3在所述组合物中的扩散系数与M2在所述组合物中的扩散系数的比率为至少1000:1。

3.根据权利要求1的组合物，其中M1的价态为+III、+IV或+V。

4.根据权利要求1的组合物，其中M1是Si。

5.根据权利要求1的组合物，其中M2选自Al和Ga。

6.根据权利要求1的组合物，其中M3是Cu。

7.根据权利要求1的组合物，其中

-M2的量为所述组合物中存在的金属总量的0.01至25原子％；和/或

-M3的量为所述组合物中存在的金属总量的0.01至10原子％。

8.一种生产根据权利要求1至7之一的组合物的方法，其包含下列步骤

a)提供M1的多孔氧化物；

b)用M2的液体前体浸润M1的多孔氧化物；

c)用M3的液体前体浸润M1的多孔氧化物；

由此步骤b)和c)可以同时或相继进行；

d)任选地，干燥在用M2的液体前体和M3的液体前体浸润M1的多孔氧化物后获得的产物；

e)任选地，在氧化气氛中在低于M1的氧化物的转变温度的温度下煅烧在步骤d)，如果存在，或步骤c)中获得的产物；

f)将在步骤d)中获得的产物加热到M1的氧化物的转变温度以上的温度。

9.一种生产根据权利要求1至7之一的组合物的方法，其中所述组合物通过原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)制备。

10.根据权利要求9的方法，其中通过原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)制备的所述组合物的层厚度为1至100nm。

11.通过根据权利要求8的方法获得的产物作为用于物理气相沉积(PVD)法的溅射靶的用途。

12.根据前述权利要求1至7任一项的组合物或在权利要求8至10任一项的方法中获得的组合物作为阻变元件的用途。