[发明专利]光电耦合器

权利要求书

1.一种光电耦合器(OPK)，其具有发送单元(S)和接收单元(EM)，其中，所述发送单元(S)与所述接收单元(EM)彼此电流隔离并且彼此光学耦合，并且集成在一个共同的壳体中，其中，所述接收单元(EM)具有第一连接接通部(VSUP1)和第二连接接通部(VSUP2)，并且：

所述发送单元(S)具有至少一个第一发送二极管(SD1)和第二发送二极管(SD2)，所述第一发送二极管具有第一光波长(L1)，所述第二发送二极管具有第二光波长(L2)；

其中，所述第一光波长(L1)与所述第二光波长(L2)相差波长差(D)；

其中，第一部分源(VQ1)具有第一半导体二极管(D1)，第二部分源(VQ2)具有第二半导体二极管(D2)，每个部分源(VQ1，VQ2)具有多个半导体层，并且每个部分源(VQ1，VQ2)的半导体层堆叠状地布置，并且每个部分源(VQ1，VQ2)具有上侧和下侧；

其中，所述第一半导体二极管(D1)具有匹配于所述第一光波长(L1)的吸收边，所述第二半导体二极管(D2)具有匹配于所述第二光波长(L2)的吸收边，使得所述第一部分源(VQ1)在借助所述第一光波长(L1)照射时产生能量，并且所述第二部分源(VQ2)在借助所述第二光波长(L2)照射时产生能量，

其特征在于，

所述接收单元(EM)包括能量源(VQ)，所述能量源(VQ)具有构造成电流源或电压源的两个部分源(VQ1，VQ2)，

所述第一部分源(VQ1)的下侧布置在所述第二部分源(VQ2)的上侧上，使得所述两个部分源(VQ1，VQ2)构成具有前侧和后侧的共同堆叠，并且在两个相继布置的半导体二极管(D1，D2)之间构造有隧道二极管，其中，所述两个部分源(VQ1，VQ2)串联连接；

与所述第一连接接通部(VSUP1)连接的第一金属接通部(K1)构造在所述第一部分源的上侧上，第二金属接通部(K2)构造在所述第二部分源的下侧上；

其中，所述第二金属接通部(K2)整面地构造在衬底(SUB)的下侧上，并且

所述衬底(SUB)具有上侧(OS)，并且所述衬底(SUB)的上侧(OS)

与所述第二部分源(VQ2)的下侧材料锁合地单片地连接，并且所述衬底(SUB)的上侧(OS)具有比所述能量源(VQ)下侧上的面更大的表面，从而形成环绕的阶梯(STU)。

2.根据权利要求1所述的光电耦合器(OPK)，其特征在于，所述第一部分源(VQ1)与所述第二部分源(VQ2)单片地集成。

3.根据权利要求1或2所述的光电耦合器(OPK)，其特征在于，射束在所述两个部分源(VQ1，VQ2)的情况下照射到相应的上侧上。

4.根据权利要求1或2所述的光电耦合器(OPK)，其特征在于，在所述两个部分源(VQ1，VQ2)的堆叠状布置的情况下，所述第二连接接通部(VSUP2)通过所述衬底(SUB)构造在所述堆叠的后侧上。

5.根据权利要求1或2所述的光电耦合器(OPK)，其特征在于，所述接收单元(EM)具有自导通的晶体管(T1L)，其中，所述晶体管(T1L)的栅极与串联连接的部分源(VQ1，VQ2)的所述第二连接接通部(VSUP2)连接。

6.根据权利要求1或2所述的光电耦合器(OPK)，其特征在于，所述接收单元(EM)具有分析处理单元(AWE)，并且所述分析处理单元(AWE)与所述两个部分源(VQ1，VQ2)电有效连接。

7.根据权利要求1或2所述的光电耦合器(OPK)，其特征在于，所述第一部分源(VQ1)由多个第一半导体二极管(D1)构成，所述第二部分源(VQ2)由多个第二半导体二极管(D2)构成，并且所述两个部分源(VQ1，VQ2)在300K的情况下分别具有大于2伏特的源电压。

8.根据权利要求1或2所述的光电耦合器(OPK)，其特征在于，所述第一半导体二极管(D1)包括InGaP，所述第二半导体二极管(D2)包括GaAs或InGaAs。