[发明专利]硅通孔芯片的二次封装方法及其二次封装体

权利要求书

1.一种硅通孔芯片的二次封装方法，其特征在于，所述硅通孔芯片具有相对的正向表面与反向表面，所述反向表面上设置有焊球阵列封装BGA锡球，所述硅通孔芯片的二次封装方法包括：

将至少一硅通孔芯片放置在铺设有释放应力膜层的底座上；其中，所述硅通孔芯片的正向表面接触所述释放应力膜层；

使用软化的塑封胶包覆所述硅通孔芯片；

待所述塑封胶固化后去除所述底座，以获取所述硅通孔芯片的二次封装体；

对所述二次封装体的表面进行处理，以露出所述BGA锡球；其中，被处理的所述二次封装体的表面与所述硅通孔芯片的反向表面相对应。

2.根据权利要求1所述的硅通孔芯片的二次封装方法，其特征在于，所述使用软化的塑封胶包覆所述硅通孔芯片中，具体包括：

将具有空腔的注塑模具按压在所述底座上，使得所述硅通孔芯片位于所述空腔中；

向所述空腔中注入软化的所述塑封胶，使得所述塑封胶包覆所述硅通孔芯片。

3.根据权利要求1所述的硅通孔芯片的二次封装方法，其特征在于，所述使用软化的塑封胶包覆所述硅通孔芯片中，具体包括：

将软化的所述塑封胶涂布在所述硅通孔芯片上；

利用压合模具对软化的所述塑封胶与所述硅通孔芯片进行压合，使得所述塑封胶包覆所述硅通孔芯片。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的硅通孔芯片的二次封装方法，其特征在于，所述对所述二次封装体的表面进行处理，以露出所述BGA锡球中，具体包括：

对所述二次封装体的表面进行研磨，以露出所述BGA锡球。

5.根据权利要求4所述的硅通孔芯片的二次封装方法，其特征在于，所述BGA锡球的外露面为圆形，所述BGA锡球的外露面与所述硅通孔芯片的反向表面的距离等于所述圆形的半径。

6.根据权利要求4或5所述的硅通孔芯片的二次封装方法，其特征在于，在所述对所述二次封装体的表面进行处理，以露出所述BGA锡球之后，还包括：

在所述BGA锡球上设置辅助锡球；其中，所述辅助锡求高于所述表面。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的硅通孔芯片的二次封装方法，其特征在于，所述对所述二次封装体的表面进行处理，以露出所述BGA锡球中，具体包括：

对所述二次封装体中对应于所述BGA锡球的塑封胶部分进行局部去除，以露出所述BGA锡球；

在所述对所述二次封装体的表面进行处理，以露出所述BGA锡球之后，还包括：

在所述BGA锡球上设置辅助锡球，且所述辅助锡球高于或齐平于所述表面。

8.根据权利要求7所述的硅通孔芯片的二次封装方法，其特征在于，所述局部去除的方式包括激光镭射、离子轰击、化学腐蚀中的其中之一或任意组合。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的硅通孔芯片的二次封装方法，其特征在于，所述硅通孔芯片的数目为多个；在所述对所述二次封装体的表面进行处理，以露出所述BGA锡球之后，还包括：

对所述二次封装体进行切割，以获取单个所述硅通孔芯片的二次封装体。

10.一种硅通孔芯片的二次封装体，其特征在于，通过权利要求1-9任一项所述的硅通孔芯片的二次封装方法得到的；所述硅通孔芯片的二次封装体包括：硅通孔芯片与塑封胶；

所述硅通孔芯片具有正向表面、反向表面以及多个侧向表面；所述硅通孔芯片的反向表面设置有焊锡球；

所述塑封胶包覆所述硅通孔芯片的反向表面与多个侧向表面，所述焊锡球外露于所述塑封胶的表面。

11.根据权利要求10所述的硅通孔芯片的二次封装体，其特征在于，所述焊锡球包括BGA锡球；

所述BGA锡球外露于所述塑封胶的表面，且所述BGA锡球的外露面与所述塑封胶的表面齐平。