[发明专利]包含多晶第13族元素氮化物的自立基板和使用该自立基板的发光元件

权利要求书

1.一种自立基板，该自立基板包含由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个单晶粒子构成的多晶第13族元素氮化物，其特征在于，所述自立基板具有上表面和底面，所述多晶第13族元素氮化物包含氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶，以1×10¹⁷原子/cm³～1×10²⁰原子/cm³的浓度含有锌，

所述上表面利用电子背散射衍射法(EBSD)的反极图成像测定的各单晶粒子的结晶方位相对于特定结晶方位倾斜，所述结晶方位相对于特定结晶方位的平均倾斜角为0.1°以上且0.7°以下。

2.如权利要求1所述的自立基板，其特征在于，在所述上表面露出的所述单晶粒子在最外表面的截面平均直径DT为10μm～1000μm。

3.如权利要求2所述的自立基板，其特征在于，在所述上表面露出的所述单晶粒子在最外表面的截面平均直径DT相对于在所述底面露出的所述单晶粒子在最外表面的截面平均直径DB的比DT/DB大于1.0且在20以下。

4.如权利要求1～3中任一项所述的自立基板，其中，构成所述自立基板的所述单晶粒子的结晶方位在与基板法线方向正交的板表面方向上无取向。

5.一种发光元件，包括：如权利要求1～4中任一项所述的自立基板和发光功能层，该发光功能层在所述自立基板上形成，具有一层以上在大致法线方向上具有单晶结构的、由多个半导体单晶粒子构成的层。

6.一种自立基板，所述自立基板具有上表面和底面，该自立基板包含由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个单晶粒子构成的多晶第13族元素氮化物，其特征在于，所述多晶第13族元素氮化物包含氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶，以5×10¹⁵原子/cm³～1×10¹⁹原子/cm³的浓度含有钙，

所述上表面利用电子背散射衍射法(EBSD)的反极图成像测定的各单晶粒子的结晶方位相对于特定结晶方位倾斜，所述结晶方位相对于特定结晶方位的平均倾斜角为0.1°以上且0.7°以下。

7.如权利要求6所述的自立基板，其特征在于，所述多晶第13族元素氮化物还含有锗。

8.如权利要求6或7所述的自立基板，其特征在于，在所述上表面露出的所述单晶粒子在最外表面的截面平均直径DT为10μm～1000μm。

9.如权利要求8所述的自立基板，其特征在于，在所述上表面露出的所述单晶粒子在最外表面的截面平均直径DT相对于在所述底面露出的所述单晶粒子在最外表面的截面平均直径DB的比DT/DB大于1.0且在20以下。

10.如权利要求6、7、9中任一项所述的自立基板，其中，构成所述自立基板的所述单晶粒子的结晶方位在与基板法线方向正交的板表面方向上无取向。

11.如权利要求8所述的自立基板，其中，构成所述自立基板的所述单晶粒子的结晶方位在与基板法线方向正交的板表面方向上无取向。

12.一种发光元件，包括：如权利要求6～11中任一项所述的自立基板和发光功能层，该发光功能层在所述自立基板上形成，具有一层以上在大致法线方向上具有单晶结构的、由多个半导体单晶粒子构成的层。