[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
申请号: | 201780010108.0 | 申请日: | 2017-01-24 |
公开(公告)号: | CN108604548B | 公开(公告)日: | 2022-11-01 |
发明(设计)人: | 中井仁司;安藤幸嗣 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其中,具备:
基板保持部,保持基板;
基板旋转机构,使所述基板保持部和所述基板一起旋转;
纯水供给部,向所述基板的朝向上方的主表面供给纯水;
混合液供给部,向所述主表面供给通过将表面张力小于纯水的常温的有机溶剂和加热的纯水混合而生成且温度高于常温的混合液;
有机溶剂供给部,向所述主表面供给所述有机溶剂;以及
控制部,在使所述纯水供给部、所述混合液供给部和所述有机溶剂供给部向通过所述基板旋转机构进行旋转的所述基板的所述主表面依次供给所述纯水、所述混合液和所述有机溶剂之后,通过所述基板的旋转去除所述主表面上的所述有机溶剂。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述混合液中的所述有机溶剂的浓度为50vol%以下。
3.一种基板处理方法,其中,包括:
a)工序,向旋转的基板的朝向上方的主表面供给纯水;
b)工序,向旋转的所述基板的所述主表面供给通过将表面张力小于纯水的常温的有机溶剂和加热的纯水混合而生成且温度高于常温的混合液;
c)工序,向旋转的所述基板的所述主表面供给所述有机溶剂;以及
d)工序,借助所述基板的旋转去除所述主表面上的所述有机溶剂。
4.根据权利要求3所述的基板处理方法,其中,
所述混合液中的所述有机溶剂的浓度为50vol%以下。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造