[发明专利]用于多光束检验系统的场曲率校正在审
申请号: | 201780009352.5 | 申请日: | 2017-02-01 |
公开(公告)号: | CN108604562A | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
发明(设计)人: | A·D·布罗迪;R·克尼彭迈耶;C·西尔斯;J·劳斯;G·H·陈 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 细光束 多光束 电子束柱 多透镜 检验系统 电子源 焦点 电子产生 发明配置 场曲率 移位 配置 校正 | ||
1.一种设备,其包括:
电子源;及
多透镜阵列,其经配置以利用由所述电子源提供的电子产生多个细光束,所述多透镜阵列进一步经配置以移位所述多个细光束中的至少一个特定细光束的焦点,使得所述至少一个特定细光束的所述焦点与所述多个细光束中的至少一个其它细光束的焦点不同。
2.根据权利要求1的设备,其进一步包括:
至少一个额外透镜,其经配置以接收所述多个细光束且朝向目标传递所述多个细光束。
3.根据权利要求2所述的设备,其中所述多透镜阵列经配置以补偿所述至少一个额外透镜的预期焦点移位。
4.根据权利要求3所述的设备,其中所述多透镜阵列包含具有界定在其中的开口的至少三个静电板以形成单透镜阵列。
5.根据权利要求4所述的设备,其中所述至少三个静电板中的至少一个特定静电板经配置以支持围绕界定在所述至少一个特定静电板上的所述开口施加个别可寻址电势。
6.根据权利要求5所述的设备,其中所述至少一个特定静电板是具有蚀刻在其中的所述开口的氧化硅板,其中用导电材料个别地涂布所述开口以容许个别可寻址电势施加于所述开口。
7.根据权利要求5所述的设备,其中至少部分地基于所述至少一个额外透镜的所述预期焦点移位确定所述个别可寻址电势。
8.根据权利要求4所述的设备,其中所述至少三个静电板中的至少一个静电板经配置以充当孔径透镜阵列。
9.根据权利要求4所述的设备,其中所述多透镜阵列进一步包含定位在所述至少三个静电板中的两个邻近静电板之间的至少一个绝缘层。
10.根据权利要求1所述的设备,其中所述设备经调适以在检验系统中充当多光束电子束柱。
11.一种设备,其包括:
电子源;
多透镜阵列,其经配置以利用由所述电子源提供的电子产生多个细光束,所述多透镜阵列进一步经配置以移位所述多个细光束中的至少一个特定细光束的焦点,使得所述至少一个特定细光束的所述焦点与所述多个细光束中的至少一个其它细光束的焦点不同;及
至少一个额外透镜,其经配置以接收所述多个细光束且朝向目标传递所述多个细光束。
12.根据权利要求11所述的设备,其中所述多透镜阵列经配置以补偿所述至少一个额外透镜的预期焦点移位。
13.根据权利要求12所述的设备,其中所述多透镜阵列包含具有界定在其中的开口的至少三个静电板以形成单透镜阵列。
14.根据权利要求13所述的设备,其中所述至少三个静电板中的至少一个特定静电板经配置以支持围绕界定在所述至少一个特定静电板上的所述开口施加个别可寻址电势。
15.根据权利要求14所述的设备,其中基于所述至少一个额外透镜的所述预期焦点移位至少部分地确定所述个别可寻址电势。
16.根据权利要求15所述的设备,其中所述至少三个静电板中的至少一个静电板经配置以充当孔径透镜阵列。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造