[发明专利]具有嵌入式镜面的工程衬底

权利要求书

1.工程衬底(101,103)，其包括：

由用于太阳能电池生长的第一半导体材料制成的种子层(3)；

在所述种子层(3)上的第一键合层(4A)；

由第二半导体材料制成的支持衬底(5)；

在所述支持衬底(5)的第一侧上的第二键合层(4B)；

第一和第二键合层(4A,4B)之间的具有镜面功能的键合界面(4)；

第一和第二键合层(4A,4B)各自由金属材料制成；

其中，所述第一半导体材料和所述第二半导体材料的掺杂浓度和所述工程衬底(101,103)的各层的厚度被选择成使得所述种子层(3)的吸收小于20%，并且所述工程衬底(101,103)的总面积归一化串联电阻小于10 mOhm·cm²。

2.如权利要求1所述的工程衬底(101,103)，其中，所述种子层(3)的吸收小于10%。

3.如权利要求1所述的工程衬底(101,103)，其中，所述工程衬底(101,103)的总面积归一化串联电阻小于5 mOhm·cm²。

4.如权利要求1或2所述的工程衬底(101,103)，其中，所述种子层(3)的掺杂浓度小于5×10¹⁷ at/cm³。

5.如权利要求1或2所述的工程衬底(101,103)，其中，所述种子层(3)的厚度在150 nm至1 μm的范围内。

6.如权利要求1或2所述的工程衬底(101,103)，其中，所述支持衬底(5)的厚度在100 μm至500 μm的范围内，并且所述支持衬底(5)的掺杂浓度在10¹⁴ at/cm³至5×10¹⁷ at/cm³的范围内。

7.如权利要求1所述的工程衬底(101,103)，其中，第一和第二键合层(4A,4B)的金属材料是W或Ti与TiN中的一种。

8.如权利要求1或2所述的工程衬底(101,103)，其中，第一半导体材料的晶格常数在5.8 Å至6 Å的范围内。

9.如权利要求1或2所述的工程衬底(101,103)，其中，第一半导体材料是InP或第一半导体材料是三元或四元或五元III-V族材料，其中，第二半导体材料选自GaAs或Ge。

10.如权利要求9所述的工程衬底(101,103)，其中，作为三元或四元或五元III-V族材料的第一半导体材料是InGaAs或InGaAsP。

11.如权利要求1或2所述的工程衬底(101,103)，其还包括设置在所述支持衬底(5)的与第一侧相反的第二侧上的金属接触部(11)。

12.光检测或转换装置，其包括权利要求1至11中任一项所述的工程衬底(101,103)。

13.如权利要求12所述的光检测或转换装置，其是太阳能电池。