[发明专利]绝缘栅型半导体元件的驱动电路

说明书

在根据控制信号来控制提供给绝缘栅型半导体元件的栅极的输出电流而将该绝缘栅型半导体元件导通/关断的驱动电路中，简易地检查其输出电流特性。具备：电流源，生成提供给绝缘栅型半导体元件的栅极的电流；电流输出电路，根据驱动信号来控制所述电流源所生成的电流向所述绝缘栅型半导体元件的栅极的提供；输出电流控制电路，根据与所述绝缘栅型半导体元件的动作温度对应的控制电压来控制所述电流源所生成的电流的大小；以及控制电压检测端子，设置于该输出电流控制电路而能够从外部检测所述控制电压。

技术领域

本发明涉及能够简易地检查输出电流特性的绝缘栅型半导体元件的驱动电路。

背景技术

作为驱动绝缘栅型半导体元件例如IGBT导通/关断的驱动电路，例如如图5所示，已知根据驱动信号来控制提供给IGBT的栅极的输出电流Iout的绝缘栅型半导体元件的驱动电路1。该驱动电路1大致具备生成提供给IGBT2的栅极的输出电流Iout的电流源3和根据驱动信号来控制电流源3所生成的输出电流Iout向IGBT2的栅极的提供的电流输出电路4。

附带说明，驱动电路1具备用于规定电流源3所输出的输出电流Iout的大小的输出电流控制电路5。该输出电流控制电路5构成为具备例如控制经由N型的MOS-FET5a而流通的电流Io的运算放大器OP1、和产生与经由MOS-FET5a而流通的电流Io对应的电流检测电压的基准电阻(Rref)5b。运算放大器OP1根据在基准电阻5b的两端产生的电流检测电压与预定的基准电压Vref之间的电压差值来控制MOS-FET5a的栅极电压，从而起到使经由MOS-FET5a而流通的电流Io恒定的作用。

另一方面，电流源3被实现为P型的MOS-FET3a，该P型的MOS-FET3a与作为MOS-FET5a的负载而连接于该MOS-FET5a的漏极的P型的MOS-FET5c构成电流镜电路，并生成与电流Io成比例的输出电流Iout。

这里，电流输出电路4具备N型的MOS-FET4b，所述N型的MOS-FET4b安装在IGBT2的栅极与接地(GND)之间，并被输入驱动信号的缓冲器4a导通/关断。电流输出电路4还具备：与构成电流源3的MOS-FET3a并联连接的P型的MOS-FET4c、和根据驱动信号将MOS-FET4c导通/关断的电平转换电路4d。

该电流输出电路4在驱动信号为高电平(H)时，经由电平转换电路4d将MOS-FET4c设为导通，由此使电流镜电路的功能停止而使来自电流源3的电流输出停止，并且经由缓冲器4a将MOS-FET4b设为导通。然后起到经由MOS-FET4b使积累在IGBT2的栅极的电荷放电而将IGBT2关断的作用。

此外，电流输出电路4在驱动信号为低电平(L)时，经由电平转换电路4d将MOS-FET4c设为关断而使输出电流Iout从电流源3输出，并且经由缓冲器4a将MOS-FET4b设为关断。其结果是，来自电流源3的输出电流Iout被提供给IGBT2的栅极而将IGBT2导通。因此，通过该电流输出电路4，根据驱动信号来控制IGBT2的导通/关断。

然而，通过上述的驱动电路1驱动为导通/关断的IGBT2的开关特性根据IGBT2的动作温度(温度T)而变化。特别地，IGBT2的导通时的开关损耗容易受到提供给该IGBT2的栅极的输出电流Iout及其动作温度的变化的影响。

因此，在以往的驱动电路1中，例如如专利文献1所公开的那样，提出了将IGBT2的动作温度的信息反馈到电流输出电路4，根据IGBT2的动作温度而对电流源3所生成的输出电流Iout进行反馈控制的技术。通过这样的根据IGBT2的动作温度的输出电流Iout的反馈控制，能够降低IGBT2的开关损耗，并且实现开关噪声的降低。