[发明专利]集成MEMS换能器

权利要求书

1.一种MEMS换能器封装件(300)，包括：

一个封装盖(313)；以及

一个集成电路裸片(309)，包括一个用于与所述封装盖接合的接合区域(314)，

所述集成电路裸片(309)包括：

一个集成MEMS换能器(311)；以及

与所述集成MEMS换能器电气连接的集成电子电路(312)；其中

所述集成电子电路(312)的占地面积至少与所述集成电路裸片(309)的接合区域(314)重叠。

2.根据权利要求1所述的MEMS换能器封装件，其中所述集成电子电路(312)的占地面积围绕所述集成MEMS换能器(311)的至少两侧形成。

3.根据权利要求1或2所述的MEMS换能器封装件，其中所述集成电路裸片(309)包括用于与所述封装盖(313)接合的接合臂(309a，309b)，所述接合臂限定所述集成电路裸片(309)中的第一腔(320)的至少一部分。

4.根据权利要求3所述的MEMS换能器封装件，其中所述集成电子电路(312)的占地面积与所述集成电路裸片(309)的第一腔(320)的至少一部分重叠。

5.根据前述权利要求中的任一项所述的MEMS换能器封装件，还包括一个电气再分布层(318)，所述电气再分布层(318)耦合到所述集成电路裸片(309)的第一表面。

6.根据权利要求5所述的MEMS换能器封装件，其中所述集成电子电路(312)的占地面积与所述电气再分布层(318)的至少一部分重叠。

7.根据前述权利要求中的任一项所述的MEMS换能器封装件，其中所述集成电子电路(312)的占地面积围绕所述集成MEMS换能器(311)的所有侧的至少一部分形成。

8.根据权利要求7所述的MEMS换能器封装件，其中所述集成电子电路(312)的占地面积围绕所述集成MEMS换能器(311)的所有侧大体上均匀地形成。

9.根据前述权利要求中的任一项在直接或间接从属于权利要求3时所述的MEMS换能器封装件，其中所述第一腔(320)包括第一部分和第二部分，其中所述腔中与所述集成MEMS换能器(311)界面连接的第一部分的横截面面积小于位于所述集成电路裸片与所述封装盖界面连接的表面处所述腔的第二部分的横截面面积。

10.根据前述权利要求中的任一项所述的MEMS换能器封装件，其中所述封装盖(313)包括第二腔(321)。

11.根据权利要求4至10中的任一项在直接或间接从属于权利要求3时所述的MEMS换能器封装件，其中存在由所述集成电路裸片(309)的第一腔(320)和所述封装盖(313)的第二腔(321)所限定的后容积。

12.根据前述权利要求中的任一项所述的MEMS换能器封装件，其中所述MEMS换能器封装件的外表面的至少一部分由所述集成电路裸片309形成。

13.根据前述权利要求中的任一项所述的MEMS换能器封装件，其中所述集成电路裸片(309)还包括一个或多个接合结构(317)。

14.根据权利要求13所述的MEMS换能器封装件，其中所述一个或多个接合结构(317)被设置在所述集成电路裸片(309)的外表面上，且被电气耦合到所述集成电子电路(312)。

15.根据前述权利要求中的任一项所述的MEMS换能器封装件，其中所述集成电子电路包括模拟电路和/或数字电路。