[发明专利]含水的铟或铟合金镀浴以及用于沉积铟或铟合金的方法

权利要求书

1.一种含水的铟或铟合金镀浴，所述镀浴包含

-铟离子源，

-酸，

-卤离子源，

-根据式(I)的表面活性剂

其中A选自支链或非支链的C₁₀-C₁₅烷基；

B选自氢和烷基；

m是5至25范围内的整数；

每个R彼此独立地选自氢和甲基；和

-根据式(II)的二羟基苯衍生物

其中每个X独立地选自氯、溴、甲氧基和硝基；

n是1至2范围内的整数。

2.根据权利要求1所述的含水的铟或铟合金镀浴，其中每个R选自氢和甲基，其中氢/甲基的比率为10/1至100/1。

3.根据权利要求1所述的含水的铟或铟合金镀浴，其中R是氢。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的含水的铟或铟合金镀浴，其中所述酸选自烷烃磺酸和硫酸中的一种或多种。

5.根据权利要求1至3中的任一项所述的含水的铟或铟合金镀浴，其中所述表面活性剂的根据Griffin方法测定的亲水-亲脂平衡值的范围为13.0-18.0。

6.根据权利要求1至3中的任一项所述的含水的铟或铟合金镀浴，其中所述二羟基苯衍生物是4-氯间苯二酚、5-甲氧基间苯二酚、氯对苯二酚、4-溴间苯二酚、2-硝基间苯二酚或4-氯邻苯二酚。

7.根据权利要求1至3中的任一项所述的含水的铟或铟合金镀浴，所述镀浴的pH是-1至4。

8.根据权利要求1至3中的任一项所述的含水的铟或铟合金镀浴，所述镀浴包含碱金属阳离子源和/或碱土金属阳离子源。

9.一种用于沉积铟或铟合金的方法，所述方法包括以下步骤：

i.提供具有至少一个表面的基材(100)；

ii.使所述基材(100)的所述至少一个表面与根据权利要求1至8中的任一项所述的铟或铟合金镀浴接触，从而在所述至少一个表面的至少一部分上沉积铟层或铟合金层，

其中在步骤ii中沉积所述铟层或铟合金层是通过电解沉积进行的。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述表面是金属或金属合金表面(100a)。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述电解沉积是恒电位沉积工艺。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述恒电位沉积工艺使用比开路电位更阴极的电位。

13.根据权利要求10所述的方法，其中

-在步骤ii中，所述铟或铟合金层是第一铟或铟合金层(101)，

-在步骤ii中，形成由所述表面(100a)的所述金属或金属合金以及所述第一铟或铟合金层(101)的至少一部分构成的合成相(102)，

其中所述方法还包括以下步骤：

iii.部分地或完全地除去所述第一铟或铟合金层的尚未转化为所述合成相的部分(103)；

iv.在步骤iii中获得的表面(102a)的至少一部分上沉积第二铟或铟合金层(104)。

14.根据权利要求13所述的方法，其中步骤iv中所述第二铟层或铟合金层(104)的沉积是通过电解沉积进行的，并且所述电解沉积是恒电位沉积工艺。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述恒电位沉积工艺使用比开路电位更阴极的电位。

16.根据权利要求13所述的方法，其中步骤iii是通过电解汽提工艺进行的，并且所述电解汽提工艺是恒电位汽提工艺。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述恒电位汽提工艺使用比开路电位更阳极的电位。