[发明专利]产生无机薄膜的方法在审
| 申请号： | 201780007708.1 | 申请日： | 2017-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN108495856A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | F·阿贝尔斯;D·勒夫勒;H·威尔默;R·沃尔夫;C·罗德;P·比舍尔贝格尔 | 申请（专利权）人： | 巴斯夫欧洲公司 |
| 主分类号： | C07F9/6568 | 分类号： | C07F9/6568;C07F15/06;C23C16/18 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 肖威;刘金辉 |
| 地址： | 德国莱茵河*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 气溶胶态 无机薄膜 衬底 配体 配位 原子层沉积 多重键 磷杂环 三键 沉积 金属 | ||
1.一种方法，其包括使通式(I)化合物变为气态或气溶胶态，和将通式(I)化合物由气态或气溶胶态沉积至固体衬底上，
Ln----M---Xm(I)
其中：
M为金属，
L为与M配位的配体，且含有至少一个磷-碳多重键，其中L含有含磷杂环或磷-碳三键，
X为与M配位的配体，
n为1-5，且
m为0-5。
2.根据权利要求1所述的方法，其中通式(I)化合物为通式(Ia)化合物：
其中R1和R2彼此独立地不存在，为氢、烷基、芳基或甲硅烷基，且
其中R3和R4彼此独立地为烷基、芳基或甲硅烷基。
3.根据权利要求1所述的方法，其中通式(I)化合物为通式(Ib)化合物：
其中R5不存在，为氢、烷基、芳基或甲硅烷基，且
其中R6-R9彼此独立地为氢、烷基、芳基或甲硅烷基。
4.根据权利要求1所述的方法，其中通式(I)化合物为通式(Ic)的二聚体：
其中R5为烷基、芳基或甲硅烷基。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中M为Ni、Co、Mn、Ti、Ta或W。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中至少一个X为环戊二烯基衍生物。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中至少一个X为CO。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中通式(I)化合物化学吸附至固体衬底的表面上。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中通过除去所有配体L和X来分解沉积的通式(I)化合物。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的方法，其中将沉积的通式(I)化合物暴露于还原剂。
11.根据权利要求1-10中任一项所述的方法，其中通式(I)化合物沉积至固体衬底上以及分解沉积的通式(I)化合物的工序实施至少2次。
12.通式(I)化合物用于在固体衬底上的形成膜的方法的用途，其中：M为金属，
L为与M配位的配体，且含有至少一个磷-碳多重键，其中L含有含磷杂环或磷-碳三键，
X为与M配位的配体，
n为1-5，且
m为0-5。
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