[发明专利]半导体发光元件用基板以及半导体发光元件用基板的制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光元件用基板，具备：

基准面，所述基准面包含与构成半导体发光元件用基板的材料的结晶面平行的平坦面；以及

多个凸部，所述多个凸部从所述基准面突出，并在沿着所述结晶面的二维晶格上排列，并且作为前端面具有与所述结晶面平行的平坦面，

在包含所述基准面的平面中的互相相邻的所述凸部的间距P为100nm以上且5.0μm以下，

在与所述基准面相对向的俯视中，单位面积中的所述前端面的合计面积为第1面积S1，所述单位面积中的所述基准面的合计面积为第2面积S2时，

满足2.09≦S1/S2≦7.42。

2.如权利要求1所述的半导体发光元件用基板，其中，

与所述前端面平行的方向中的所述前端面的最大宽度是前端宽度Lb，

所述前端宽度Lb和所述间距P满足0.50≦Lb/P≦0.88。

3.如权利要求1所述的半导体发光元件用基板，其中，

在与所述前端面平行的方向中的所述凸部中的基端的最大宽度是基端宽度La，并且所述凸部的突出方向中的从所述基端到所述前端面为止的距离是凸部高度H时，

满足0.01≦H/La≦1.0。

4.如权利要求2所述的半导体发光元件用基板，其中，

在与所述前端面平行的方向中的所述凸部中的基端的最大宽度是基端宽度La，并且所述凸部的突出方向中的从所述基端到所述前端面为止的距离是凸部高度H时，

满足0.01≦H/La≦1.0。

5.如权利要求1至4中任意一项所述的半导体发光元件用基板，其中，

所述凸部的形状是锥台状。

6.一种半导体发光元件用基板的制造方法，具备：

将与构成基板的材料的结晶面平行的平坦面作为处理面，在所述基板具备的所述处理面上形成掩模的工序；以及

通过使用所述掩模进行的所述处理面的蚀刻，在所述基板上形成多个凸部和基准面的工序，所述凸部作为前端面具有作为在所述处理面中的被所述掩模覆盖的部分之平坦面并沿着所述结晶面在二维晶格上排列，所述基准面是作为互相相邻的所述凸部的间隙之凹部中的底面，包含与所述结晶面平行的平坦面，

将在包含所述基准面的平面中的互相相邻的所述凸部的间距设为100nm以上且5.0μm以下，

在形成所述凸部和所述基准面的工序中，在与所述基准面相对向的俯视中，单位面积中的所述前端面的合计面积是第1面积S1，所述单位面积中的所述基准面的合计面积是第2面积S2时，设为

2.09≦S1/S2≦7.42。

7.如权利要求6所述的半导体发光元件用基板的制造方法，其中，

在形成所述掩模的工序中，通过将多个微粒子排列成层状的单粒子膜形成于所述处理面，从而将所述单粒子膜作为所述掩模。