[发明专利]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其包括：

静电吸盘，所述静电吸盘被配置成吸附和保持晶片；

聚焦环，所述聚焦环设置成包围所述静电吸盘的上边缘；

绝缘管，所述绝缘管设置成覆盖所述静电吸盘的侧表面；和

导电管，所述导电管设置成覆盖所述绝缘管，

其中，

所述聚焦环设置成在静电吸盘凹陷部、所述绝缘管的上端和所述导电管的上端上延伸，所述静电吸盘凹陷部在所述静电吸盘的边缘凹陷成环形形状；

所述聚焦环包括由绝缘体形成的外环和埋在所述外环内的内部导电环；

所述外环包括具有第一高度的第一外环、具有与所述第一外环相同的底表面并逐渐增加高度以具有倾斜表面的第二外环和具有与所述第二外环相同的底表面并具有第二高度的第三外环；

所述内部导电环包括埋在所述第一外环内并平坦延伸的第一内部导电环、与所述第一内部导电环连续连接以倾斜延伸并埋在所述第二外环内的第二内部导电环和与所述第二内部导电环连续连接以平坦延伸并埋在所述第三外环内的第三内部导电环；

所述内部导电环与施加于所述静电吸盘的RF功率电容耦合以调节与所述聚焦环接触的等离子体的鞘的电压结构；

所述晶片设置成在所述第一外环的上表面上延伸；以及

所述外环的上表面与所述内部导电环的上表面之间的距离是恒定的。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

所述聚焦环进一步包括从所述外环的底表面向下突出的环形形状的聚焦环连结部，以及

所述聚焦环连结部插入并固定在形成于所述绝缘管的上表面上的环形形状的凹陷部中。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

所述外环的上表面与所述内部导电环的上表面之间的距离小于或等于3mm。

4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

所述外环的上表面与所述内部导电环的上表面之间的距离小于或等于设置在所述静电吸盘中包含的RF电极上的介电材料的厚度。

5.一种等离子体处理装置，其包括：

静电吸盘，所述静电吸盘被配置成吸附和保持晶片；

聚焦环，所述聚焦环设置成包围所述静电吸盘的上边缘；

绝缘管，所述绝缘管设置成覆盖所述静电吸盘的侧表面；和

导电管，所述导电管设置成覆盖所述绝缘管，

其中，

所述聚焦环设置成在所述静电吸盘的上边缘、所述绝缘管的上端和所述导电管的上端上延伸；

所述聚焦环包括由绝缘体形成的外环和埋在所述外环内的内部导电环；

所述外环包括具有第一高度的第一外环和具有与所述第一外环相同的上表面并具有大于所述第一高度的第二高度的第二外环；

所述内部导电环包括埋在所述第一外环内的平坦的第一内部导电环、与所述第一内部导电环连续连接并埋在所述第二外环内的第二内部导电环和垂直于所述第一内部导电环与所述第二内部导电环之间的边界延伸并埋在所述第二外环内的第三内部导电环；

所述内部导电环与施加于所述静电吸盘的RF功率电容耦合以调节与所述聚焦环接触的等离子体的鞘的电压结构；以及

所述外环的上表面与所述第一内部导电环和所述第二内部导电环的上表面之间的距离是恒定的。

6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其中，

所述聚焦环进一步包括从所述第二外环的底表面向下突出的环形形状的聚焦环连结部；以及

所述聚焦环连结部插入并固定在形成于所述绝缘管的上表面上的环形形状的凹陷部中。

7.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其中，

所述外环的上表面与所述第一内部导电环和所述第二内部导电环的上表面之间的距离小于或等于3mm。

8.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其中，

所述外环的上表面与所述第一内部导电环和所述第二内部导电环的上表面之间的距离小于或等于设置在所述静电吸盘中包含的RF电极上的介电材料的厚度。