[发明专利]气化炉以及气化炉的运转方法

权利要求书

1.一种气化炉，其使原料氧化并生成气体产物，

所述气化炉的特征在于，

设置有将对所述原料进行氧化的氧化区域的温度维持为预先规定的规定温度或者维持于规定温度范围的单元，并设置有使所述原料在预先规定的规定时间范围内从所述氧化区域通过的单元，

所述规定温度或者所述规定温度范围是：对焦油进行加热分解所需的温度、即焦油热分解温度以上的温度或者以该温度为中央温度的温度范围，

所述规定时间范围为将焦油的产生抑制为允许水平以下所需的时间、即焦油产生允许时间以上、且用于将结晶性硅土的生成抑制为允许水平以下的时间、即结晶性硅土生成允许时间以下。

2.根据权利要求1所述的气化炉，其特征在于，

设置有如下单元，该单元基于所述氧化区域的氧化气氛温度、和结晶性硅土生成温度达到时间的相关关系，确定所述规定温度或者所述规定温度范围的中央温度、以及所述原料在所述规定时间范围内从所述氧化区域通过的时间、即氧化区域通过时间，

所述结晶性硅土生成温度达到时间是从所述原料进入所述氧化区域的时刻起直至该原料自身的温度达到生成结晶性硅土的温度、即结晶性硅土生成温度为止的时间。

3.根据权利要求2所述的气化炉，其特征在于，

所述相关关系与以下的式[1]所示的相关函数式对应，

[数学式1]

其中，在所述式[1]中，T为所述氧化气氛温度，t为用于将结晶性硅土的生成抑制为允许水平以下的时间、即结晶性硅土生成允许时间，tmin为将焦油的产生抑制为允许水平以下所需的时间、即焦油产生允许时间，a、b、c为根据所述原料的成分量而变化的常数。

4.根据权利要求2所述的气化炉，其特征在于，

所述相关关系与以钾是规定含量浓度的所述原料为基准的以下的[表1]所示的相关表对应，

[表1]

其中，在所述[表1]中，T为所述氧化气氛温度，t为用于将结晶性硅土的生成抑制为允许水平以下的时间、即结晶性硅土生成允许时间，t(K小)表示比成为基准的所述原料的钾的含量浓度小的原料的所述结晶性硅土生成允许时间，t(K大)表示比成为基准的所述原料的钾的含量浓度大的原料的所述结晶性硅土生成允许时间，A、B、C、D、E是针对所述氧化气氛温度T的所述结晶性硅土生成允许时间t的设定值，是根据所述原料的成分量而变化的设定值，且是将焦油的产生抑制为允许水平以下所需的时间、即焦油产生允许时间tmin以上的设定值。

5.根据权利要求1所述的气化炉，其特征在于，

设置有在将所述原料导入之前将炉内预热为所述规定温度或者预热为所述规定温度范围的单元。

6.根据权利要求2所述的气化炉，其特征在于，

设置有在将所述原料导入之前将炉内预热为所述规定温度或者预热为所述规定温度范围的单元。

7.根据权利要求3所述的气化炉，其特征在于，

设置有在将所述原料导入之前将炉内预热为所述规定温度或者预热为所述规定温度范围的单元。

8.根据权利要求4所述的气化炉，其特征在于，

设置有在将所述原料导入之前将炉内预热为所述规定温度或者预热为所述规定温度范围的单元。

9.根据权利要求1至权利要求8中任一项所述的气化炉，其特征在于，

作为使所述原料在预先规定的规定时间范围内从所述氧化区域通过的单元，

将所述原料导入的原料导入部设置为：比预先规定的规定的设想炭层的最上部更靠上方，将氧化剂导入的氧化剂导入部设置为：比所述设想炭层的最上部更靠上方、且比所述原料导入部的开口更靠下方，所述氧化剂导入部的开口形成为：使得所述氧化剂的导入方向沿着水平方向或者与水平方向相比而朝向上方，使所述气体产物流出的气体产物流出部设置为：比所述氧化剂导入部的所述开口更靠上方，

在面对所述设想炭层的位置，设置有将吸热反应剂导入的吸热反应剂导入部、以及将热容量剂导入的热容量剂导入部中的至少一方。