[发明专利]使用易失性存储器作为非易失性存储器有效
申请号: | 201780004322.5 | 申请日: | 2017-01-20 |
公开(公告)号: | CN108369488B | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | B·科利;M·桑塔尼尔罗;S·戈文丹;A·巴达姆 | 申请(专利权)人: | 微软技术许可有限责任公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06;G06F11/07;G06F12/02 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;辛鸣 |
地址: | 美国华*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 易失性 存储器 作为 非易失性存储器 | ||
一种计算设备可以包括处理器、易失性存储器和非易失性存储设备。设备的操作系统或固件可以引起易失性存储器的一个或多个页面被在计算设备上执行的应用视为非易失性存储器页面。可以被视为非易失性的页面的最大页面可以基于电池中可用的能量的量以及将存储器的页面转移到非易失性存储设备所需要的能量的量而被确定。
技术领域
本公开内容总体上涉及计算设备中的存储器模块的操作。特别地,本公开内容涉及用于使用易失性存储器向在计算设备上执行的应用提供非易失性存储的系统、方法和计算机程序产品。
背景技术
计算设备的主存储器通常基于动态随机存取(“DRAM”)存储器模块。DRAM具有适合用作主存储器的各种性质,诸如低成本和高存储密度。然而,DRAM存储器模块通常包含电容器或需要电力的持续或几乎持续的供应以防止数据丢失的其他电路。DRAM存储器因此被称为易失性的,因为被存储在DRAM存储器中的数据在电源被中断的情况中会丢失。
诸如与非门(“NAND”)存储器的其他类型的存储器可以被称为非易失性存储器,因为NAND存储器模块的内容在模块的电源被中断时不会丢失。然而,由于各种原因(诸如与DRAM存储器模块相比较高的成本和较低的存储密度),计算机的主存储器通常不是根据NAND存储器模块而被构建的。
发明内容
计算设备可以包括易失性存储器和非易失性存储设备。当计算设备在公用电源上操作时,计算设备可以接收指示在公用电源将被中断的情况中计算设备将有多少能量可用的信息。计算设备还可以确定将需要多少能量来将易失性存储器的页面转移到非易失性存储设备,并且使用这一信息来确定使用电池中的可用能量可以保存存储器的多少页面。至少部分基于这一信息,计算设备的操作系统或固件可以将易失性存储器的多个页面标识为非易失性的,从而使得在计算设备上执行的应用可以将信息存储在易失性存储器的页面上,就好像这些页面是非易失性的。
提供本发明内容是为了以简化的形式介绍将在以下具体实施方式中被进一步描述的概念的选择。本发明内容并非旨在确定所要求保护的主题内容的关键特征或基本特征,也并非旨在被用于限制所要求保护的主题内容的范围。
附图说明
在下文中将参考附图更全面地描述本公开内容的实施例,在附图中:
图1是描绘具有被操作系统标识为非易失性存储器的易失性存储器的示例计算系统的框图。
图2是描绘基于可用电池电源来调节被标识为非易失性的页面的数目的框图。
图3是描绘将易失性存储器标识为易失性或非易失性存储器的计算设备的示例的框图。
图4描绘由多个计算设备共享的电池。
图5是描绘用于操作具有被标识为非易失性存储器的易失性存储器的计算设备的示例过程的流程图。
图6是描绘基于应用性能参数来调节非易失性存储器标识的过程的示例的流程图。
图7是提供保存易失性存储器的内容的示例的框图。
图8是描绘用于保存被标识为非易失性的易失性存储器的内容的示例过程的流程图。
图9是描绘在存储器保存期间控制到处理器核的电力递送的示例的流程图。
图10是描绘操作具有被标识为非易失性的易失性存储器模块的计算设备的示例的流程图。
图11描绘其中可以体现在此描述的技术的示例通用计算环境。
具体实施方式
计算设备可以包括处理器、包括易失性存储器模块的主存储器和非易失性存储设备。易失性存储器模块可能是在断电的情况中其内容丢失的存储器。在一些情况中,易失性存储器模块可以是关于被存储在存储器中的内容的保存相对于非易失性存储器其耐久力相对较低的存储器模块。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于微软技术许可有限责任公司,未经微软技术许可有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780004322.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于在去重虚拟文件系统中拍摄快照的系统和方法
- 下一篇:预测固态驱动器可靠性