[发明专利]半导体加工用胶粘带、以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体加工用胶粘带，其是在下述工序中粘贴于半导体晶片的表面而使用的半导体加工用胶粘带，所述工序为：对于在半导体晶片表面形成了槽或者在半导体晶片上形成了改性区域的半导体晶片的背面进行磨削，并通过该磨削而将半导体晶片单片化为半导体芯片的工序，

该半导体加工用胶粘带具备：基材、设置于所述基材的一面的缓冲层、以及设置于所述基材的另一面的粘合剂层，

所述缓冲层的厚度(D2)与基材的厚度(D1)之比(D2/D1)为0.7以下，并且，所述缓冲层侧表面的压入深度(X)为2.4μm以下，其中，所述缓冲层侧表面的压入深度(X)是指，以10μm/分的速度将前端曲率半径100nm及棱间角115°的三角锤状压头的前端压入胶粘带的缓冲层侧一面时的压缩载荷达到2mN所需要的压入深度。

2.根据权利要求1所述的半导体加工用胶粘带，其中，所述基材的杨氏模量为1000MPa以上。

3.根据权利要求1或2所述的半导体加工用胶粘带，其中，所述基材的厚度(D1)为110μm以下。

4.根据权利要求1或2所述的半导体加工用胶粘带，其中，所述基材至少具有聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。

5.根据权利要求1或2所述的半导体加工用胶粘带，其中，所述缓冲层由缓冲层形成用组合物形成，所述缓冲层形成用组合物包含氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(a1)、具有成环原子数6～20的脂环基或杂环基的聚合性化合物(a2)、以及具有官能团的聚合性化合物(a3)。

6.根据权利要求5所述的半导体加工用胶粘带，其中，成分(a2)为含有脂环基的(甲基)丙烯酸酯，并且，成分(a3)为含有羟基的(甲基)丙烯酸酯。

7.根据权利要求1或2所述的半导体加工用胶粘带，其中，所述粘合剂层在23℃下的弹性模量为0.10～0.50MPa。

8.根据权利要求1或2所述的半导体加工用胶粘带，其中，所述粘合剂层的厚度(D3)为70μm以下。

9.一种半导体装置的制造方法，该方法具备以下工序：

将权利要求1～8中任一项所述的半导体加工用胶粘带粘贴在半导体晶片的表面的工序；

从半导体晶片的表面侧形成槽，或者从半导体晶片的表面或背面向半导体晶片内部形成改性区域的工序；

将所述半导体加工用胶粘带粘贴于表面，并且从背面侧对形成了所述槽或改性区域的半导体晶片进行磨削，以所述槽或改性区域为起点单片化成多个芯片的工序；以及

将半导体加工用胶粘带从所述多个芯片上剥离的工序。