[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装有效
| 申请号： | 201780004004.9 | 申请日： | 2017-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN109417110B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 白光善;罗钟浩;韩大燮;黄净铉 | 申请（专利权）人： | 苏州立琻半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/32;H01L33/28;H01L33/06 |
| 代理公司： | 苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502 | 代理人： | 滕锦林 |
| 地址： | 215499 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 包括 封装 | ||
1.一种半导体器件，包括：
衬底；
第一导电型半导体层，所述第一导电型半导体层被布置在所述衬底上；
半导体层，所述半导体层被布置在所述第一导电型半导体层上，并且具有第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层；
有源层，所述有源层被布置在所述半导体层上；以及
第二导电型半导体层，所述第二导电型半导体层被布置在所述有源层上，
其中，沿所述衬底到所述有源层的方向，所述第三半导体层、所述第二半导体层以及所述第一半导体层依次设置，
其中，飞行时间-二次离子质谱法(TOF-SIM)被使用以将初级离子引导至所述半导体器件上以释放二次离子并且获得被检测为所述二次离子的In离子的强度和Si原子的浓度谱图，在所述谱图中：
其中，所述有源层包括In离子的第一峰值强度，
其中，所述第一导电型半导体层包括Si原子的第一峰值浓度，
其中，所述第一半导体层包括In离子的第二峰值强度和Si原子的第二峰值浓度，
其中，所述第二半导体层包括In离子的第三峰值强度，
其中，所述第三半导体层包括In离子的第四峰值强度和Si原子的第三峰值浓度，
其中，所述In离子的第一峰值强度包括所述半导体器件中的In离子的最高峰值强度，
其中，所述Si原子的第一峰值浓度包括所述半导体器件中的Si原子的最高峰值浓度，
其中，所述第二半导体层接触所述第一半导体层，
其中，所述In离子的第三峰值强度被布置在所述In离子的第二峰值强度和所述In离子的第四峰值强度之间，
其中，当所述In离子的第一峰值强度与所述In离子的第三峰值强度之间的第一差值为D1时；以及
当所述In离子的第一峰值强度与所述In离子的第四峰值强度之间的第二差值是D2时，
D1与D2的比率为1:2。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，用于所述初级离子的加速电压为20至30keV，
其中，辐射电流为0.1pA至5.0pA，以及
其中，辐射面积约为20nm×20nm。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述有源层的In离子的第一峰值强度大于所述第一半导体层的In离子的最高峰值强度，以及
所述第一半导体层的In离子的最高峰值强度大于所述第二半导体层的In离子的第二峰值强度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述有源层包括交替设置的阱层和阻挡层。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体层设置在所述有源层和所述第二半导体层之间。
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