[发明专利]光电转换装置在审
| 申请号： | 201780003629.3 | 申请日： | 2017-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN108701701A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 伊东一笃;金子诚二;神崎庸辅;齐藤贵翁;宫本忠芳 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L29/786;H01L31/10;H04N5/369 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 汪飞亚;习冬梅 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电转换装置 氧化物半导体层 光电二极管 光电转换层 平坦化膜 下部电极 钝化膜 接触孔 漏极电极 上部电极 泄漏电流 基板 截止 | ||
【权利要求书】：
1.一种光电转换装置，其特征在于，其具备：
薄膜晶体管，其形成在基板上；
第一绝缘层，其层叠于所述薄膜晶体管上；
光电二极管，其在上部电极和下部电极之间设置有光电转换层，
经由所述第一绝缘层所形成的第一接触孔，所述光电二极管的下部电极连接于所述薄膜晶体管的漏极电极，
所述第一接触孔的正上方未设置有所述光电转换层。
2.如权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于，所述第一接触孔的正上方形成所述光电二极管的源极电极。
3.如权利要求2所述的光电转换装置，其特征在于，在相邻的所述薄膜晶体管的漏极电极之间的中央，形成有所述第一接触孔以及所述光电二极管的源极电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
