[发明专利]一种调压电路有效

专利信息
申请号: 201780003325.7 申请日: 2017-08-16
公开(公告)号: CN110168894B 公开(公告)日: 2020-07-28
发明(设计)人: 唐样洋;姚恩义;张臣雄 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335;G05F1/563
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 张耀光
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 调压 电路
【权利要求书】:

1.一种调压电路,其特征在于,所述调压电路包括第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元、第一比较控制单元、第二比较控制单元和负载,且所述第一开关单元和所述第二开关单元均具有变压功能;

所述第一开关单元和所述第二开关单元均接收来自电源的电压输入,且所述第一开关单元的等效电阻小于所述第二开关单元的等效电阻;

所述第一开关单元和所述第二开关单元还分别与所述负载连接,用于将第一输出电压提供给所述负载,所述第一输出电压为所述第一开关单元和所述第二开关单元输出的电压;

所述第一比较控制单元与所述第一开关单元连接,用于采集所述第一输出电压,并基于所述第一输出电压、第一参考电压和第二参考电压,确定第一偏置电压,以利用所述第一偏置电压通过数字控制方式控制所述第一开关单元的等效电阻的大小,所述第一参考电压大于所述第二参考电压;

所述第二比较控制单元分别与所述第三开关单元和所述第二开关单元连接,用于采集所述第一输出电压和第二输出电压,以及基于所述第一输出电压、所述第二输出电压和第三参考电压确定第二偏置电压,并利用所述第二偏置电压通过模拟控制方式控制所述第三开关单元和所述第二开关单元的等效电阻的大小,所述第三参考电压大于所述第二参考电压且小于所述第一参考电压,所述第三开关单元为所述第二开关单元和所述第一开关单元并联后的单元的镜像,用于输出所述第二输出电压,以消除由于所述负载产生波动给所述第二偏置电压所带来的误差。

2.如权利要求1所述的电路,其特征在于,当所述第一开关单元包括的开关数量大于所述第二开关单元包括的开关数量时,所述第一开关单元的等效电阻小于所述第二开关单元的等效电阻;或者,

当所述第一开关单元和所述第二开关单元均为由金属氧化物半导体MOS管构成的开关单元,且所述第一开关单元包括的MOS管的宽长比均大于所述第二开关单元包括的MOS管的宽长比时,所述第一开关单元的等效电阻小于所述第二开关单元的等效电阻。

3.如权利要求1所述的调压电路,其特征在于,所述第三开关单元包括第一镜像开关单元和第二镜像开关单元,所述第一镜像开关单元包括的开关数量为所述第一开关单元包括的开关数量的N分之一,所述第二镜像开关单元包括的开关数量为所述第二开关单元包括的开关数量的N分之一,所述N为大于1的正整数;

所述调压电路还包括镜像电阻,所述镜像电阻的大小为所述负载包括的电阻的N分之一。

4.如权利要求1所述的调压电路,其特征在于,所述第三开关单元包括第一镜像开关单元和第二镜像开关单元,当所述第一开关单元和所述第二开关单元均为由金属氧化物半导体MOS管构成的开关单元时,所述第一镜像开关单元包括的MOS管的宽长比均为所述第一开关单元包括的MOS管的宽长比的N分之一,所述第二镜像开关单元包括的MOS管的宽长比均为所述第二开关单元包括的MOS管的宽长比的N分之一。

5.如权利要求1所述的调压电路,其特征在于,所述调压电路还包括第四开关单元,且所述第四开关单元中包括多个开关,所述第四开关单元串联在所述第二开关单元与所述负载之间,所述第四开关单元用于增加所述第二开关单元所在分支的等效电阻,以减小流经所述第二开关单元的电流;

相应地,所述第三开关单元为所述第二开关单元、所述第一开关单元和所述第四开关单元三者之间相互连接后的单元的镜像。

6.如权利要求5所述的调压电路,其特征在于,所述第四开关单元与所述第一比较控制单元连接,以通过所述第一比较控制单元确定的第一偏置电压控制所述第四开关单元的等效电阻的大小。

7.如权利要求5所述的调压电路,其特征在于,所述第四开关单元与所述第二比较控制单元连接,以通过所述第二比较控制单元确定的第二偏置电压控制所述第四开关单元的等效电阻的大小。

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