[发明专利]摄像装置和测距系统有效
| 申请号: | 201780002501.5 | 申请日: | 2017-02-24 |
| 公开(公告)号: | CN107851656B | 公开(公告)日: | 2022-12-16 |
| 发明(设计)人: | 泉原邦彦 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01S7/481;G01S17/894;H01L27/144;H01L31/10 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 姚鹏;曹正建 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 摄像 装置 测距 系统 | ||
1.摄像装置,所述摄像装置包括:
设置于多个像素中的各像素的一对电场施加电极和一对电荷取出电极;和
电压施加部,所述电压施加部配置为在执行像素结合时在第一电极与第二电极之间施加电压并且产生跨越第一像素和第二像素的电场,所述第一电极是所述第一像素的所述一对电场施加电极中的一者,所述第二电极是所述第二像素的所述一对电场施加电极中的一者,
其中所述电压施加部进一步配置为以如下方式在所述第一电极和所述第二电极之间施加所述电压:所述电压以预定的频率反转。
2.根据权利要求1的摄像装置,其中,
在所述多个像素的各像素中,所述一对电场施加电极布置为在第一方向上被间隔开,
所述第一像素和所述第二像素在与所述第一方向正交的第二方向上彼此相邻地布置,并且
所述第一电极和所述第二电极在包含所述第一像素和所述第二像素的区域的对角线方向上定位。
3.根据权利要求1的摄像装置,其中,
所述第一像素和所述第二像素被包含在布置于如下区域中的四个像素中,所述区域在垂直方向上包括两个像素并且在水平方向上包括两个像素,
所述第一像素和所述第二像素被定位在所述四个像素的所述区域的对角线方向上,并且
所述第一电极和所述第二电极是包括于所述第一像素和所述第二像素的各者中的所述一对电场施加电极之中的在所述四个像素的所述区域的所述对角线方向上距离最远的电极。
4.根据权利要求1的所述摄像装置,包括:
第二电压施加部,其配置为在不进行像素结合的情况下将电压施加到第三电极和第四电极,所述第三电极是所述第一像素的所述一对电场施加电极的另一者,所述第四电极是所述第二像素的所述一对电场施加电极的另一者。
5.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,
所述电压施加部包括:
电源,所述电源在不进行像素结合的情况下驱动全部的像素时在所述多个像素的所述一对电场施加电极之间施加电压;和
开关,在进行像素结合时将所述电源与所述一对电场施加电极之间的连接的一部分分离,并且在所述第一电极与所述第二电极之间施加电压。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的摄像装置,其中,
通过施加到所述一对电场施加电极的电压来移动被所接收的光激发的电荷,并且通过施加到所述一对电荷取出电极的电压来取出所述电荷。
7.测距系统,所述测距系统包括:
投光装置,所述投光装置配置为用光向目标投光;
摄像装置,所述摄像装置配置为接收被所述目标反射的光;及
控制装置,所述控制装置配置为控制所述投光装置和所述摄像装置,其中,
所述摄像装置是如权利要求1至6中任一项所述的摄像装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





