[发明专利]高纯度锡及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种微粒较少的高纯度锡(Sn)及制造其的方法。

背景技术

市售可获取的高纯度锡的制造方法一般为胺基磺酸锡、硫酸锡、氯化锡等的利用酸性电解浴的电解法。

例如，于日本特公昭62-1478号公报(专利文献1)中记载有如下方法：以低α射线化为目的，以99.95重量％以上的锡作为阳极，以溶液组成为Sn：30～150g/L、几乎不含有放射性同位素的胺基磺酸30～200g/L，且电解条件为阴极电流密度：0.5～2.0Amp/dm²、溶液温度：15～50℃进行电解(专利文献1的权利要求2)。

于日本专利第2754030号公报(专利文献2)中记载有一种锡的制造方法，其特征在于：以低α射线化为目的，于含有至少符合JIS K 8951所规定的试剂一级硫酸的规格的硫酸90～240g/L、及至少符合JIS K8180所规定的试剂一级盐酸的规格的盐酸10～50g/L的电解液中，将纯度为99.97重量％以上的锡用于阳极而进行电解(专利文献2的权利要求1)。

于日本专利第3882608号公报(专利文献3)中记载有一种通过金属锡中的杂质的电解精制进行的去除铅的方法。具体而言，记载有一种高纯度锡的电解精制方法，其特征在于：于使用由硫酸与氟硅酸的混合酸所构成的电解液的锡的电解精制中，将锡电解液自电解槽中抽出并导入至沉淀槽，于沉淀槽中向电解液添加碳酸锶并于35℃以下的液温下使液体中的铅沉淀化，继而，将包含该沉淀物的电解液导入至过滤器中而将沉淀物过滤分离，使去除沉淀物后的电解液返回至电解槽中而进行锡的电解精制(专利文献3的权利要求1)。

于日本专利第5296269号公报(专利文献4)中记载有如下方法：通过酸、例如硫酸使成为原料的锡渗出后，将该渗出液作为电解液，使杂质的吸附材料悬浮于该电解液中，使用原料Sn阳极进行电解精制；且记载有由此可获得纯度为5N以上(其中，O、C、N、H、S、P的气体成分除外)的高纯度锡。具体而言，记载有如下方法：使用3N级的锡作为阳极，于硫酸浴或盐酸浴中，在电解温度10～80℃、电流密度0.1～50A/dm²的条件下进行电解精制。记载有杂质的吸附系使氧化钛、氧化铝、氧化锡等氧化物、活性碳、碳悬浮于电解液中而进行。

[背景技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本特公昭62-1478号公报，

[专利文献2]日本专利第2754030号公报，

[专利文献3]日本专利第3882608号公报，

[专利文献4]日本专利第5296269号公报。

发明内容

[发明所欲解决的课题]

根据背景技术中所揭示的制法，可获得经高纯度化的锡。然而，可知即便为如背景技术中所记载的高纯度的锡，作为极微细配线用焊锡材料亦未发挥充分的特性；或者于在LSI等超微细加工装置中使用本发明的高纯度金属作为熔液的情形时，微细的流路因熔液中存在的微粒而发生堵塞，对超微细加工步骤造成阻碍。

本发明是鉴于上述情况而创造的，其目的之一在于提供一种微粒得到抑制的高纯度锡。又，本发明的另一目的在于提供一种制造微粒得到抑制的高纯度锡的方法。

[解决课题的技术手段]

本发明者对其原因进行研究，结果发现与氧(O)、硫(S)等气体成分元素进行化合的氧化锡(SnO、SnO₂)或硫化锡(SnS、SnS₂)、进而二氧化硅(SiO₂)等来自系统外的混入物为微粒的原因物质，从而完成了本发明。