[发明专利]针对使用电路模板的电路设计的提取的布局依赖效应的重用有效
申请号: | 201780001284.8 | 申请日: | 2017-02-24 |
公开(公告)号: | CN107533576B | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | D·J·奥莱尔登;F·G·K·森德格 | 申请(专利权)人: | 美商新思科技有限公司 |
主分类号: | G06F30/3953 | 分类号: | G06F30/3953;G06F115/12 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郑立柱;张昊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 针对 使用 电路 模板 电路设计 提取 布局 依赖 效应 重用 | ||
一种针对使用电路模板的电路设计的提取的布局依赖效应的重用的方法包括接收包括电路段的集成电路的原理图。对应于电路段的电路模板在第二集成电路的原理图中被实例化。电路模板包括从第一集成电路的布局提取的电路段的布局依赖效应信息。使用电路段的布局依赖效应信息对第二集成电路的原理图执行仿真。响应于执行仿真而产生对应于电路段的第二集成电路的至少一部分的布局。
技术领域
本申请要求于2016年2月25日提交的美国临时申请No.62/299,968以及于2016年2月26日提交的美国临时申请No.62/300,594的优先权,其全部内容通过引用并入本文。
背景技术
本公开总体上涉及集成电路的设计,并且具体地涉及针对使用电路模板的电路设计的提取的布局依赖效应(LDE)的重用。
集成电路的设计流程通常包括晶体管级设计和仿真以产生干净原理图设计的步骤。设计流程还包括为仿真原理图创建布局并且在该布局上运行布局对原理图(LVS)检查和设计规则检查(DRC)。LVS是指确定特定集成电路布局是否对应于原始原理图设计,而DRC是指确定特定芯片的物理布局是否满足一系列称为设计规则的推荐参数。一旦布局确定为LVS和DRC干净,就可以从布局中提取诸如电路寄生效应(例如电线的电容)的布局依赖效应(LDE)信息。LDE信息可以反向注释到布局前原理图,并执行重新仿真以确定LDE对设计性能的影响。LDE信息提取、反向注释和重新仿真通常导致设计更改,从而导致额外的布局变化,从而导致更多的设计迭代。在较小的几何工艺中,LDE对集成电路设计的影响较大,这种现象变得更加严重。
发明内容
实施例涉及针对使用电路模板的电路设计的提取的LDE信息的重用。从布局中提取电路段的LDE信息以生成电路模板。电路模板在集成电路的原理图中实例化。使用电路段的LDE信息在原理图上进行仿真,而不产生集成电路的布局。
在一个实施例中,接收包括电路段的第一集成电路的原理图。在第二集成电路的原理图中实例化对应于电路段的电路模板。电路模板包括从第一集成电路的布局提取的电路段的布局依赖效应信息。使用电路段的布局依赖效应信息对第二集成电路的原理图执行仿真。响应于执行仿真而产生对应于电路段的第二集成电路的至少一部分的布局。
在一个实施例中,接收包括电路段的第一集成电路的原理图。通过至少参考对应于电路段的电路模板中的电路段的LDE信息,对包含电路段的第二集成电路的原理图执行仿真。从第一集成电路的布局中提取用于电路段的LDE信息。响应于执行仿真而产生对应于电路段的第二集成电路的至少一部分的布局。
在一个实施例中,LDE包括以下中的一个或多个:电路段的部件和节点的寄生信息;电路段的部件的多晶硅间隔和多晶硅长度效应;电路段的部件的浅沟槽隔离效应;以及电路段的部件的阱邻近效应。
在一个实施例中,提取用于电路段的LDE信息包括从第一集成电路的布局提取用于第一集成电路的LDE信息。对提取的第一集成电路的LDE信息进行过滤,以识别与电路段中的部件和节点相对应的LDE信息。
在一个实施例中,提取的LDE信息的过滤包括解析用于第一集成电路的提取的LDE信息,以构建解析树。遍历解析树,并去除不对应于电路段中的部件和节点的LDE信息。剩余的LDE信息被写入电路模板。
在一个实施例中,第一集成电路的原理图中的电路段的部件和节点的名称被标准化以包括在电路模板中。
在一个实施例中,从第一集成电路的布局中提取层映射信息,并且层映射信息被写入电路模版。
在一个实施例中,实例化电路模板包括生成用于第二集成电路的原理图的映射。该映射将第二集成电路原理图中的部件和节点的实际名称与电路模板中的经标准化的名称相关联。
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