[发明专利]多层面存储器装置及操作方法

权利要求书

1.一种存储器设备，其包括：

衬底；

第一存储器单元块，其包含定位于所述衬底上方的第一存储器单元串，及耦合到所述第一存储器单元串的第一数据线；

第二存储器单元块，其包含定位于所述第一存储器单元块上方的第二存储器单元串，所述第一存储器单元块物理上位于所述第二存储器单元块和所述衬底之间，及耦合到所述第二存储器单元串的第二数据线，所述第一数据线物理上位于所述第二存储器单元块和所述衬底之间；

第一导电路径，其定位于所述衬底上方且耦合于所述第一数据线与所述设备的缓冲器电路之间；

第二导电路径，其定位于所述衬底上方且耦合于所述第二数据线与所述缓冲器电路之间，其中所述第一导电路径及所述第二导电路径中无任何导电路径由所述第一存储器单元块与所述第二存储器单元块共享；

耦合到所述第一存储器单元串及所述第二存储器单元串的存取线，其中所述第一存储器单元块与所述第二存储器单元块共享所述存取线；及

晶体管，所述晶体管中的每一者耦合到所述存取线中的相应存取线，其中所述晶体管包含共同栅极，

其中在所述存储器设备的第一模式中的存储器操作期间，通过所述第一导电路径建立第一电路路径，且通过所述第二导电路径建立第二电路路径，

其中在所述存储器设备的第二模式中的存储器操作期间，通过所述第一导电路径建立所述第一电路路径，且没有电路路径是通过所述第二导电路径所建立的。

2.一种存储器设备，其包括：

衬底；

第一存储器单元块，其包含定位于所述衬底上方的第一存储器单元串，及耦合到所述第一存储器单元串的第一数据线；

第二存储器单元块，其包含定位于所述第一存储器单元块上方的第二存储器单元串，所述第一存储器单元块物理上位于所述第二存储器单元块和所述衬底之间，及耦合到所述第二存储器单元串的第二数据线，所述第一数据线物理上位于所述第二存储器单元块和所述衬底之间；

第一导电路径，其定位于所述衬底上方且耦合于所述第一数据线与所述设备的缓冲器电路之间；及

第二导电路径，其定位于所述衬底上方且耦合于所述第二数据线与所述缓冲器电路之间，其中所述第一导电路径及所述第二导电路径中无任何导电路径由所述第一存储器单元块与所述第二存储器单元块共享，

其中所述缓冲器电路包含：

第一缓冲器电路；

第一晶体管，其耦合于所述第一缓冲器电路与所述第一导电路径中的一者之间；

第二缓冲器电路；及

第二晶体管，其耦合于所述第二缓冲器电路与所述第二导电路径中的一者之间，

其中在所述存储器设备的第一模式中的存储器操作期间，通过接通所述第一晶体管来建立第一电路路径，且通过接通所述第二晶体管来建立第二电路路径，

其中在所述存储器设备的第二模式中的存储器操作期间，通过接通所述第一晶体管来建立所述第一电路路径，且通过关断所述第二晶体管，从而没有电路路径建立。