[发明专利]等离子处理方法以及等离子处理装置有效
| 申请号： | 201780000763.8 | 申请日： | 2017-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN107438892B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 寺仓聪志;森政士;荒濑高男;岩濑拓 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H05H1/46 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 柯瑞京 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子 处理 方法 以及 装置 | ||
1.一种等离子处理方法，通过对具有含硼的无定形碳膜的层叠膜进行等离子蚀刻来形成掩模，所述等离子处理方法的特征在于，
使用氧气、含氟气体、卤素气体和四氟化硅气体的混合气体来对所述含硼的无定形碳膜进行等离子蚀刻，
所述含氟气体是CHF3气体、CH2F2气体、CH3F气体、NF3气体或SF6气体，
所述卤素气体相对于所述混合气体的流量比率比所述含氟气体相对于所述混合气体的流量比率高。
2.根据权利要求1所述的等离子处理方法，其特征在于，
所述卤素气体是Cl2气体、HBr气体或HI气体。
3.根据权利要求1所述的等离子处理方法，其特征在于，
通过对载置成膜了所述层叠膜的样品的样品台供给1000W以上的高频功率或者对所述样品台施加1350V以上的峰值间高频电压，来对所述含硼的无定形碳膜进行等离子蚀刻。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的等离子处理方法，其特征在于，
将压力设为4Pa以上来对所述含硼的无定形碳膜进行等离子蚀刻。
5.根据权利要求1所述的等离子处理方法，其特征在于，
使用O2气体、CHF3气体、Cl2气体和SiF4气体的混合气体来对所述含硼的无定形碳膜进行等离子蚀刻。
6.一种等离子处理方法，通过对具有无定形碳膜的层叠膜进行等离子蚀刻来形成掩模，所述等离子处理方法的特征在于，
使用氧气、含氟气体、卤素气体和四氟化硅气体的混合气体来对所述无定形碳膜进行等离子蚀刻，
所述含氟气体是CHF3气体、CH2F2气体、CH3F气体、NF3气体或SF6气体，
所述卤素气体相对于所述混合气体的流量比率比所述含氟气体相对于所述混合气体的流量比率高。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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