[发明专利]半导体设备子组件

权利要求书

1.一种半导体设备子组件，包括：

彼此之间横向间隔开的多个半导体单元，

与所述多个半导体单元操作地耦连的多个导电块；

与所述多个导电块操作地耦连的导电可延展层，其中，所述多个导电块位于导电可延展层和所述多个半导体单元之间；

其中，在使用时，所述多个导电块的至少一些配置成当预定压力被施加在半导体设备子组件时，将压力施加在导电可延展层上；以及

隔板，相较于导电块所耦连到的导电可延展层的表面，所述隔板与导电可延展层的相反表面操作地连接，其中，隔板包括多个孔，以及其中，在使用时，导电可延展层被所述多个导电块弯曲到隔板的至少一些孔中。

2.如权利要求1所述的子组件，其中，导电块中的至少一些配置成使得导电可延展层弯曲。

3.如权利要求1或2所述的子组件，其中，导电可延展层的厚度被选择成使得导电可延展层至少弹性变形。

4.如权利要求1或2所述的子组件，其中，导电可延展层的材料的屈服强度被选择成使得在被施加压力的作用下导电可延展层被导电块至少塑性变形。

5.如权利要求4所述的子组件，其中，导电可延展层在-50℃和150℃之间的高温下至少塑性变形。

6.如权利要求1或2所述的子组件，其中，导电可延展层是平坦隔膜。

7.如权利要求1或2所述的子组件，其中，导电可延展层是连续层。

8.如前述权利要求1或2所述的子组件，其中，导电可延展层的厚度是从大约0.1mm到10mm。

9.如前述权利要求1或2所述的子组件，其中，导电可延展层包括这样的材料，所述材料包括铜、不锈钢、铝、银，或铜、铝、不锈钢和银的合金。

10.如前述权利要求1或2所述的子组件，其中，导电块包括这样的材料，所述材料包括铜、铝、银，或铜、铝和银的合金。

11.如权利要求1或2所述的子组件，其中，隔板包括这样的材料，所述材料包括铜、铝、银，或铜、铝和银的合金。

12.如权利要求1或2所述的子组件，其中，导电可延展层和导电块利用一件材料形成。

13.如权利要求1或2所述的子组件，其中，隔板和导电可延展层利用一件材料形成。

14.如权利要求1或2所述的子组件，其中，隔板、导电可延展层和导电块利用一件材料形成。

15.如权利要求1或2所述的子组件，其中，子组件配置成使得在施加压力之后，导电路径通过半导体单元、导电块、导电可延展层和隔板而建立。

16.如权利要求1或2所述的子组件，还包括在导电可延展层和半导体单元之间的偏转限制框架，其中，偏转限制框架包括聚醚醚酮(PEEK)。

17.如权利要求1或2所述的子组件，其中，半导体单元包括：

半导体芯片；

在半导体芯片的边缘处的保护层；

前侧应变缓冲器；

后侧应变缓冲器；

控制端子连接弹簧销。

18.如权利要求17所述的子组件，其中，后侧应变缓冲器是覆盖子组件内的所有芯片的盘。

19.如权利要求18所述的子组件，其中，后侧应变缓冲器包括铝-石墨、钼和钼-铜中的任一者。