[发明专利]一种基于MOS场效应晶体管的滤波电路及芯片

权利要求书

1.一种基于MOS场效应晶体管的滤波电路，其特征在于，包括第一MOS场效应晶体管和静电释放单元；

在正常工作时，所述第一MOS场效应晶体管的栅极与衬底之间形成滤波电容；

在静电释放时，所述静电释放电元与所述第一MOS场效应晶体管形成将聚集的静电电荷转移至地的放电通路；

所述静电释放单元包括第二MOS场效应晶体管及第三MOS场效应晶体管；

所述第一MOS场效应晶体管的漏极、所述第二MOS场效应晶体管的漏极及所述第三MOS场效应晶体管的漏极相互连接；所述第一MOS场效应晶体管的栅极、所述第二MOS场效应晶体管的栅极及所述第三MOS场效应晶体管的栅极均接地；所述第一MOS场效应晶体管的源极与衬底、所述第二MOS场效应晶体管的源极与衬底均连接电源；所述第三MOS场效应晶体管的源极与衬底接地。

2.根据权利要求1所述的基于MOS场效应晶体管的滤波电路，其特征在于，所述第一MOS场效应晶体管为PMOS场效应晶体管，所述第二MOS场效应晶体管为PMOS场效应晶体管，所述第三MOS场效应晶体管为NMOS场效应晶体管。

3.根据权利要求1所述的基于MOS场效应晶体管的滤波电路，其特征在于，所述第二MOS场效应晶体管的栅极与所述第三MOS场效应晶体管的栅极连接后通过一电阻接地。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的基于MOS场效应晶体管的滤波电路，其特征在于，所述第一MOS场效应晶体管的整体尺寸大于所述第二MOS场效应晶体管的整体尺寸；且所述第一MOS场效应晶体管的整体尺寸大于所述第三MOS场效应晶体管的整体尺寸。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的基于MOS场效应晶体管的滤波电路，其特征在于，所述第三MOS场效应晶体管的漏极与源极之间存在寄生三极管，所述寄生三极管的基极与所述第三MOS场效应晶体管的衬底之间存在寄生电阻；其中，当大量的电荷聚集在所述第三MOS场效应晶体管的漏极时，所述第三MOS场效应晶体管的漏极与衬底之间的反向PN结被击穿，电流流向所述寄生三极管的基极并经所述寄生电阻流到地端，而使得所述寄生三极管的基极电压抬升且所述寄生三极管导通并形成低阻抗的放电通路，所述放电通路用于给聚集的静电电荷提供快速泄放到地的通道。

6.一种基于MOS场效应晶体管的滤波电路，其特征在于，包括第一MOS场效应晶体管和静电释放单元；

在正常工作时，所述第一MOS场效应晶体管的栅极与衬底之间形成滤波电容；

在静电释放时，所述静电释放电元与所述第一MOS场效应晶体管形成将聚集的静电电荷转移至地的放电通路；

所述静电释放单元包括第二MOS场效应晶体管及第三MOS场效应晶体管；

所述第一MOS场效应晶体管的漏极、所述第二MOS场效应晶体管的漏极及所述第三MOS场效应晶体管的漏极相互连接；所述第一MOS场效应晶体管的栅极、所述第二MOS场效应晶体管的栅极及所述第三MOS场效应晶体管的栅极均连接电源；所述第一MOS场效应晶体管的源极与衬底、所述第三MOS场效应晶体管的源极与衬底均接地；所述第二MOS场效应晶体管的源极与衬底连接所述电源。

7.根据权利要求6所述的基于MOS场效应晶体管的滤波电路，其特征在于，所述第一MOS场效应晶体管为NMOS场效应晶体管，所述第二MOS场效应晶体管为PMOS场效应晶体管，所述第三MOS场效应晶体管仍为NMOS场效应晶体管。

8.根据权利要求6所述的基于MOS场效应晶体管的滤波电路，其特征在于，所述第二MOS场效应晶体管的栅极与所述第三MOS场效应晶体管的栅极连接后通过一电阻连接所述电源。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的基于MOS场效应晶体管的滤波电路，其特征在于，所述第一MOS场效应晶体管的整体尺寸大于所述第二MOS场效应晶体管的整体尺寸；且所述第一MOS场效应晶体管的整体尺寸大于所述第三MOS场效应晶体管的整体尺寸。