[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示面板和显示设备

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

基底基板；

有源层；和

第一线性偏振块，其构造为为有源层的至少一部分遮挡光；

其中所述第一线性偏振块在所述基底基板上的投影与所述有源层在所述基底基板上的投影至少部分地重叠；

所述有源层位于所述第一线性偏振块的远离所述基底基板的一侧，或者所述有源层位于所述第一线性偏振块的靠近所述基底基板的一侧；

所述薄膜晶体管还包括：源电极和漏电极；所述源电极和所述漏电极均位于所述有源层背离所述基底基板的一侧；

所述第一线性偏振块位于所述有源层背离所述基底基板的一侧且位于所述源电极和所述漏电极之间。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第一线性偏振块由纳米线性偏振材料制成。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第一线性偏振块实质上覆盖所述有源层的沟道区域。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，还包括：栅电极，其位于所述有源层的远离所述第一线性偏振块的一侧；

其中所述第一线性偏振块在所述基底基板上的投影与所述栅电极在所述基底基板上的投影实质上重叠。

5.根据权利要求1所述薄膜晶体管，还包括：缓冲层，其位于所述第一线性偏振块和所述有源层之间。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，还包括；

第二线性偏振块，其与所述第一线性偏振块对应；

其中所述第二线性偏振块在所述基底基板上的投影与所述有源层在所述基底基板上的投影至少部分地重叠；

所述第一线性偏振块具有第一透射轴；并且

所述第二线性偏振块具有与所述第一透射轴实质上垂直的第二透射轴。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其中，所述有源层位于所述第二线性偏振块靠近所述基底基板的一侧；并且

所述第二线性偏振块构造为所述有源层的至少一部分遮挡从发光层发出的光。

8.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，所述纳米线性偏振材料包括选自由以下各项构成的组的化合物：氟化镁(MgF₂)、氧化锌(ZnO)、氧化钛(TiO₂)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锌氧化物(AZO)、镁锌氧化物(MZO)、镓锌氧化物(GZO)、钌氧化物(RuO_x)、铱氧化物(IrO_x)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化硅(SiO₂)、玻璃上硅和氮化硅(Si₃N₄)。

9.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，所述第一线性偏振块由是非金属材料制成。

10.一种阵列基板，包括：

基底基板；

多个薄膜晶体管，其位于所述基底基板上，所述多个薄膜晶体管中的每个薄膜晶体管包括有源层；和

第一线性偏振层，其包括多个第一线性偏振块，所述多个第一线性偏振块中的每个第一线性偏振块构造为所述有源层的至少一部分遮挡光；

其中所述多个第一线性偏振块中的一个第一线性偏振块在所述基底基板上的投影与所述有源层在所述基底基板上的投影至少部分地重叠；

所述有源层位于所述第一线性偏振块的远离所述基底基板的一侧，或者所述有源层位于所述第一线性偏振块的靠近所述基底基板的一侧；

所述薄膜晶体管还包括：源电极和漏电极；所述源电极和所述漏电极均位于所述有源层背离所述基底基板的一侧；

所述第一线性偏振块位于所述有源层背离所述基底基板的一侧且位于所述源电极和所述漏电极之间。

11.根据权利要求10所述的阵列基板，其中，所述第一线性偏振层由纳米线性偏振材料制成。