[实用新型]金刚石肖特基二极管有效
| 申请号： | 201721917470.X | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN207624707U | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 周闯杰;王晶晶;蔚翠;何泽召;郭建超;刘庆彬;高学栋;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/16 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 王丽巧 |
| 地址： | 050051 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金刚石层 肖特基二极管 本实用新型 第一金属层 金刚石 上表面 半导体技术领域 异质半导体层 第二金属层 阳极电极 下表面 覆盖 | ||
本实用新型适用于半导体技术领域，提供了一种金刚石肖特基二极管，包括：第一金刚石层，所述第一金刚石层的上表面设有第二金刚石层，下表面设有阳极电极；其中，所述第一金刚石层为P型重掺杂层，所述第二金刚石层为p型轻掺杂层，且所述第一金刚石层的厚度大于所述第二金刚石层的厚度；所述第二金刚石层中设有多个凹槽；所述凹槽的表面依次覆盖N型异质半导体层和第一金属层；所述第一金属层的表面和所述第二金刚石层凹槽以外区域的上表面覆盖第二金属层。本实用新型能够显著提高器件的性能。
技术领域
本实用新型属于半导体技术领域，尤其涉及一种金刚石肖特基二极管。
背景技术
电力电子系统正在向着更高击穿电压，更小导通损耗的方向发展，对器件提出了更高的要求。其中，二极管器件是电力电子系统中最基本的器件之一。
金刚石以其宽禁带、高热导率、高临界击穿电场、低的介电常数以及高的载流子迁移率等优势特性，是制作大功率、高频、高温、低功率损耗电力电子器件的理想材料。
传统的肖特基二极管损导通耗大、击穿电压小、反向漏电流大，不能满足日益发展的电力电子系统的需求。
实用新型内容
有鉴于此，本实用新型实施例提供了一种金刚石肖特基二极管，以解决现有技术中金刚石肖特基二极管性能差的问题。
本实用新型实施例提供了一种金刚石肖特基二极管，包括：
第一金刚石层，所述第一金刚石层的上表面设有第二金刚石层，下表面设有阳极电极；其中，所述第一金刚石层为P型重掺杂层，所述第二金刚石层为p型轻掺杂层，且所述第一金刚石层的厚度大于所述第二金刚石层的厚度；
所述第二金刚石层中设有多个凹槽；
所述凹槽的表面依次覆盖N型异质半导体层和第一金属层；
所述第一金属层的表面和所述第二金刚石层凹槽以外区域的上表面覆盖第二金属层。
可选的，所述第一金刚石层的厚度为50微米至2000微米，所述第二金刚石层的厚度为5纳米至20微米。
可选的，所述第一金刚石层的掺杂浓度为1×2018cm-3至1×2022cm-3，所述第二金刚石层的掺杂浓度为1×2014cm-3至1×2018cm-3。
可选的，所述阳极电极包括与所述第一金刚石层形成欧姆接触的第三金属层。
进一步的，所述第三金属层由Ti、pt、Au、Ir中的至少一种形成。
可选的，所述第二金属层由功函数值小于4.6eV的金属形成。
可选的，所述第二金属层的上表面覆盖Au金属层。
可选的，所述N型异质半导体层的厚度为20纳米至200纳米。
可选的，所述N型异质半导体层包括N型掺杂的TiO2层、MoO3层、ZnO层、V2O5层、WO3层、NbO5层、GaN层、AlN层、SiC层、Ga2O3层、Si层、GeSi层和GaAs层。
可选的，所述第一金刚石层和所述第二金刚石层分别掺杂硼元素。
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