[实用新型]一种骤回型瞬态电压抑制器有效
| 申请号: | 201721917367.5 | 申请日: | 2017-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN207781592U | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
| 发明(设计)人: | 吴昊;余晓明 | 申请(专利权)人: | 深圳傲威半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
| 代理公司: | 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) 31298 | 代理人: | 韩国辉 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 隔离阱 瞬态电压抑制器 回型 转折电压 外延层 衬底 本实用新型 受保护对象 穿通电压 电压钳制 工作电压 箝位电压 静电 漏电 抗浪涌 脉冲 减小 可调 分隔 隔离 应用 | ||
本实用新型提出一种骤回型瞬态电压抑制器,包括衬底,衬底上具有外延层,外延层中具有N型隔离阱与P型隔离阱,N型隔离阱中具有P型重掺杂极,P型隔离阱中具有N型重掺杂极。N型隔离阱与P型隔离阱相互分隔,P型重掺杂极与N型重掺杂极相互隔离。该骤回型瞬态电压抑制器的穿通电压和转折电压都可调,在实际的应用中,当遇到脉冲和静电时可以将受保护对象两端的电压钳制到更低数值,起到更有效的保护作用,在确保工作电压和漏电要求不变的前提下,让转折电压容易调节,更有利地减小箝位电压,增加抗浪涌能力。
技术领域
本实用新型涉及半导体器件,尤其涉及一种骤回型瞬态电压抑制器。
背景技术
当前骤回型瞬态电压抑制器广泛用于高速数据线的保护,其实现方式一般是利用双极型器件的工作原理,来达到单PN结工艺无法达到的骤回特性。而骤回特性最大优势在于极大的降低TVS产品的导通电阻,进而降低了TVS工作时的箝位电压。当前结构的TVS为简单的二极管电路,如图1所示,有明显的缺陷:
1、通过调节掺杂的浓度来获得较低的击穿电压,在低击穿电压的情况下才有可能出现骤回现象,有时甚至需要借助辐照等处理方式才能获得骤回;
2、即使获得骤回,其骤回不是特别明显,即转折电压Vsb(snapback voltage)和穿通电压Vpt(punch through voltage)差别不大,箝位电压(Vc)与非骤回型TVS相比没有明显减小;
3、其转折电压Vsb(snapback voltage)不容易调节。
因此,有必要对这种骤回型瞬态电压抑制器进行结构优化,以克服上述缺陷。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种骤回型瞬态电压抑制器,在确保工作电压和漏电要求不变的前提下,让转折电压容易调节,更有利地减小箝位电压,增加抗浪涌能力。
本实用新型为解决其技术问题所采用的技术方案是:
一种骤回型瞬态电压抑制器,包括衬底,衬底上具有外延层,其中:
外延层中具有N型隔离阱与P型隔离阱,N型隔离阱中具有P型重掺杂极,P型隔离阱中具有N型重掺杂极。
N型隔离阱与P型隔离阱相互分隔,P型重掺杂极与N型重掺杂极相互隔离。
本实用新型的优点在于:
该骤回型瞬态电压抑制器的穿通电压和转折电压都可调,在实际的应用中,当遇到脉冲和静电时可以将受保护对象两端的电压钳制到更低数值,起到更有效的保护作用,在确保工作电压和漏电要求不变的前提下,让转折电压容易调节,更有利地减小箝位电压,增加抗浪涌能力。
附图说明
图1是本实用新型提出的骤回型瞬态电压抑制器的结构示意图;
图2是图1的A-A剖视图;
图3是该骤回型瞬态电压抑制器的等效电路;
图4是该骤回型瞬态电压抑制器的伏安特性曲线。
具体实施方式
为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合图示与具体实施例,进一步阐述本实用新型。
如图1、图2、图3所示,本实用新型提出的骤回型瞬态电压抑制器,包括衬底,衬底上具有外延层,外延层中具有N型隔离阱NWL与P型隔离阱PWL,N型隔离阱中具有P型重掺杂极P+,P型隔离阱中具有N型重掺杂极N+。N型隔离阱与P型隔离阱相互分隔,P型重掺杂极与N型重掺杂极相互隔离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





