[实用新型]一种晶体硅光伏电池片烧结后的冷却装置有效
申请号: | 201721917351.4 | 申请日: | 2017-12-31 |
公开(公告)号: | CN207624671U | 公开(公告)日: | 2018-07-17 |
发明(设计)人: | 刘庆 | 申请(专利权)人: | 湖南康盛庆丰新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 417000 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 冷却盒 光伏电池片 冷却水出口 冷却水入口 烧结 晶体硅 入料门 悬挂杆 冷却装置 出风口 固定槽 进风口 卡合齿 排布 本实用新型 温度传感器 鼓风机 嵌入安装 输送机构 竖直安装 软管 出风管 进风管 可打开 入料 | ||
本实用新型提供一种晶体硅光伏电池片烧结后的冷却装置,冷却盒的左侧面上有可打开关闭的入料门,烧结后的晶体硅光伏电池片通过输送机构送至入料门进入到冷却盒中;冷却盒的靠近入料门的一侧的顶部开设出风口,出风口上方竖直安装有出风管;悬挂杆固定安装在冷却盒内,悬挂杆上排布有卡合齿,冷却盒的底部设有固定槽,且固定槽内也悬挂杆上排布有卡合齿;冷却盒的右侧面上开设有进风口,进风口通过进风管与鼓风机相连;冷却盒的入料门上设有一排冷却水入口,冷却盒的右侧面上设有一排相同数量的冷却水出口,冷却水入口和冷却水出口一一对应,且相对应的冷却水入口和冷却水出口之间由软管相连;冷却盒的右侧面上嵌入安装有一个温度传感器。
技术领域
本实用新型涉及清洗装置,尤其涉及一种太阳能硅片的清洁清洗装置。
背景技术
烧结就是把印刷到硅片上的电极在高温下烧结成电池片,最终使电极和硅片本身形成欧姆接触,从而提高电池片的开路电压和填充因子2个关键因素参数,使电极的接触具有电阻特性,达到生产高转效率电池片的目的.烧结过程中有利于PECVD工艺所引入-H向体内扩散,可以起到良好的体钝化作用。
将印刷好的上、下电极和背场的硅片经过网印刷机的传送带传到烧结炉中,经过烘干排焦、烧结和冷却烘干排焦、烘干排焦烧结和冷却过程来完成烧结工艺最终达到上下电极和电池片的欧姆接触。
实用新型内容
本实用新型提供一种晶体硅光伏电池片烧结后的冷却装置。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种晶体硅光伏电池片烧结后的冷却装置,包括冷却盒、风冷机构、冷却水通道,悬挂杆;冷却盒的左侧面上有可打开关闭的入料门,烧结后的晶体硅光伏电池片通过输送机构送至入料门进入到冷却盒中;冷却盒的靠近入料门的一侧的顶部开设出风口,出风口上方竖直安装有出风管;悬挂杆固定安装在冷却盒内,悬挂杆上排布有卡合齿,冷却盒的底部设有固定槽,且固定槽内也悬挂杆上排布有卡合齿;冷却盒的右侧面上开设有进风口,进风口通过进风管与鼓风机相连;冷却盒的入料门上设有一排冷却水入口,冷却盒的右侧面上设有一排相同数量的冷却水出口,冷却水入口和冷却水出口一一对应,且相对应的冷却水入口和冷却水出口之间由软管相连;冷却盒的右侧面上嵌入安装有一个温度传感器,用于监测冷却盒内的温度。
优选的,出风管为喇叭形,出风口的开口直径小于出风管顶部的出风管喇叭口的直径。
优选的,冷却盒内位于上方的悬挂杆上的卡合齿宽度大于位于底部的固定槽上的卡合齿的宽度。
优选的,冷却水出口和冷却水入口的位置均高于进风口的位置。
优选的,冷却水管道选用多条软管,且每根软管的直径小于2cm,与选用一根粗水管相比,该结构冷却水管道的外表面积增大,与进风口吹进的风相接触的面积增大,冷却效果加强。
本实用新型的一种晶体硅光伏电池片烧结后的冷却装置的有益效果:
1)采用风冷和水冷相结合的方式,且水管内水流的方向与进风口吹风方向相同,鼓风机吹出的风与软管内的冷却水相遇,冷却水对风进一步冷却,降低冷却盒内空气的温度,从而加速烧结后晶体硅光伏电池片的冷却速度。
2)冷却盒的顶部设有出风口,将热风及时排出。
3)冷却盒上安装有温度传感器实时监测冷却盒内的温度情况,当冷却盒内温度过高时,可通过调节进风量和进风速度以及冷却水流量来加强冷却作用;如通过调节进风量和进风速度以及冷却水流量调节后冷却盒内温度仍然过高,则可以打开入料门,加快冷却盒内的散热作用。
4)悬挂杆固定安装在冷却盒内,悬挂杆上排布有卡合齿,冷却盒的底部设有固定槽,且固定槽内也悬挂杆上排布有卡合齿,烧结后晶体硅光伏电池片悬靠在悬挂杆上且卡合在相邻卡合齿之间,避免烧结后晶体硅光伏电池片相互贴合,贴合面冷却速度慢。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造