[实用新型]一种用于QFN封装的机构

说明书

本实用新型提供了一种用于QFN封装机构，属于QFN封装机构技术领域。所述QFN封装的机构包括上模和下模；所述上模由至少两个上模单元组成，所述上模单元包括一个上底座；所述上底座的下方设有上浇道镶条和上成型镶条；所述下模由若干个下模单元组成，所述下模单元包括一个与上模单元相对应的下底座，所述下底座的上方设有下浇道镶条和下成型镶条；所述下底座内设有气路、抽气孔。本实用新型提供的封装机构可以保证引线框架摆入模具时更加平整、定位准确，工件加工工艺合理，真空吸附的效果更好，可以更好的提高了产品的质量。

技术领域

本实用新型涉及QFN封装技术领域，特别涉及一种具有吸附功能的QFN类封装机构。

背景技术

QFN封装(方形扁平无引脚封装), 为面贴装型封装之一,目前属于中高档产品的封装技术， QFN封装和CSP(芯片尺寸封装)有些相似，但元件底部没有焊球，与PCB的电气和机械连接是通过PCB焊盘上印刷焊膏、过回流焊形成的焊点来实现的。QFN有一个很突出的特点，即QFN封装与超薄小外形封装(TSSOP)具有相同的外引线配置，而其尺寸却比TSSOP的小62%。根据QFN建模数据，其热性能比TSSOP封装提高了55%，电性能(电感和电容)比TSSOP封装分别提高了60%和30%。 QFN封装的小外形特点，可用于笔记本电脑、数码相机、个人数字助理(PDA)、移动电话等便携式消费电子产品。从市场的角度而言，QFN封装越来越多地受到用户的关注，考虑到成本、体积各方面的因素，QFN封装将会是未来几年的一个增长点，发展前景极为乐观。

市场上的QFN封装多事在自动封装系统上进行封装，其封装技术在国内商数中高端封装技术，技数难度较大，在没有掌控技术情况下，产品品质不易控制。QFN封装时，在引线框架底部有贴膜，贴膜主要是防止封装时的底部引脚溢料，同时加强了产品的整体强度。引线框架贴膜在模具封装时，引线框架摆入模具，在贴膜下方的下镶条位置，设置真空储气槽，真空储气槽与封装系统的抽真空机构通过管路连接，封装时产生负压，使贴过膜的引线框架可以平整的附在下镶条上，封装时不会产生翘曲，便于产品合模封装。同时真空负压，可以在合模时抽取产品腔体间的多余空气可以减少产品气孔、疏松等缺陷的出现，提高产品的品质。

目前行业类大多将储气槽设置在模具的下模镶条上，对应在上模的胶体下方，深度在0.003-0.008mm之间，下镶条上再设置通气槽与底座上的气路相连，底座上的气路在通过接头与封装系统上的抽真空接口相连，因此在封装合模时会产生负压。

早期的储气槽是根据引线框架上贴膜的宽度为W，再在下镶条上磨加工整体一条的气槽宽度为W+1.0mm，深度在0.003-0.008mm之间，下镶条上在设置通气槽将储气槽与底座上的气路相连，通气槽与胶体距离通常为0.03mm，底座上的气路在通过接头与封装系统上的抽真空接口相连。周边再设置通气槽及排气槽，但由于储气槽两端与空气直接相连，因此真空吸附的效果不是太好，因此引线框架再封装时经常会有翘曲现象，封后的产品也多有气孔及疏松出现，且与底座连接的通气槽加工方孔，再拼装镶块，拼块上磨加工有深0.03mm的通气槽，方孔只能选择EDM线切割加工，加工方法复杂，成本较高。第二种方法是在下镶条上对应上模胶体位置尺寸单侧放大让位约0.3mm, 深度在0.003-0.008mm之间，下镶条上在设置通气槽与底座上的气路相连，底座上的气路在通过接头与封装系统上的抽真空接口相连，底座连接的通气槽加工也是选择EDM线切割加工。由于下镶条是整体一块工件，储气槽加工方法多限制为EDM放电加工，但放电加工其深度0.003-0.008mm通常难以控制，深度一致性差，且加工成本较高。本机构的原理是同第二种方法，但设置的下镶条不是整体一块，而是有三块镶拼组成，装配后储气槽的尺寸也是在上型胶体尺寸四周单面加大0.3mm,也设置通气槽与气路连通。此种结构的储气槽及通气槽都采用的是磨加工处理，其0.003-0.008mm深度容易控制，且通气槽也是磨床加工，加工方法加单，且通气槽不与外界空气直接连通，在封装时产生的负压效果更明显，储气槽及通气槽为磨床加工，深度容易控制，所以引线框架封装时平整、负压真空度好、产品品质优越。

发明内容