[实用新型]一种IGBT器件有效
| 申请号： | 201721904369.0 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN207966999U | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 秦旭光;黄继颇;陆均尧 | 申请（专利权）人： | 安徽赛腾微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/739;H01L21/28;H01L21/331 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 朱圣荣 |
| 地址： | 241003 安徽省芜湖市高新区中*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体基板 本实用新型 元胞沟槽 栅极导电多晶硅 第一导电类型 超结结构 导电类型 集电极区 元胞区 元胞 主面 绝缘栅氧化层 安全工作区 导电类型阱 加速载流子 终端保护区 饱和电流 场终止层 短路电流 沟槽结构 电阻率 漂移区 外延层 中心区 沟道 关断 内壁 填充 抽取 环绕 包围 延伸 | ||
1.一种IGBT器件，在所述IGBT器件的发射极的俯视平面上，包括位于半导体基板的元胞区和终端保护区，所述终端保护区位于元胞区的外圈，且终端保护区环绕包围元胞区，所述元胞区内包括若干规则排布且相互平行并联设置的元胞，在所述IGBT器件的截面上，半导体基板具有相对应的第一主面与第二主面，所述第二主面上方设有一层第二导电类型集电极区，所述第二导电类型集电极区上方设有第一导电类型场终止层，其特征在于：所述元胞区内的元胞设有沟槽结构，第一导电类型外延层内的上部设有第二导电类型阱层，元胞沟槽由第一主面经第二导电类型阱层延伸至半导体基板内的第一导电类型外延层内，所述元胞沟槽内填充有栅极导电多晶硅，所述栅极导电多晶硅覆盖至元胞沟槽槽口附近的第一主面上方，形成T型槽栅导电多晶硅，所述T型槽栅导电多晶硅与第一主面以及元胞沟槽内壁之间均设有绝缘栅氧化层。
2.根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于：相邻元胞沟槽的侧壁上方设有第一导电类型发射极区，第一导电类型发射极区位于第二导电类型阱层的上部，所述第二导电类型阱层的上方设有P+层，所述第二导电类型阱层、P+层与第一导电类型外延层之间均设有载流子存储层，所述元胞沟槽与第二主面之间的第一导电类型外延层内设有P柱，所述P柱位于元胞沟槽底部正下方，P柱深度最深可以深入第一导电类型场终止层，但不能穿过第一导电类型场终止层与第二导电类型集电极区电接触。
3.根据权利要求2所述的IGBT器件，其特征在于：所述T型槽栅导电多晶硅上覆盖有绝缘介质层，所述绝缘介质层上方设有金属连线，所述金属连线穿过绝缘介质层上的接触孔与P+层和第一导电类型发射极区接触，所述T型槽栅导电多晶硅与金属连线之间通过引线孔及位于引线孔内的填充金属连接，所述金属连线上方设有设置有钝化层，所述钝化层上设有裸露金属连线的金属线窗口。
4.根据权利要求3所述的IGBT器件，其特征在于：所述第一导电类型场终止层的掺杂浓度大于或等于第一导电类型外延层的掺杂浓度。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的IGBT器件，其特征在于：所述第一导电类型外延层至少包括一层外延层结构。
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