[实用新型]发光二极管

说明书

本实用新型提供了一种发光二极管，包括：发光外延叠层和全方位反射系统，其中所述发光外延叠层具有相对的第一表面和第二表面，包含n型半导体层、发光层和p型半导体层；所述全方位反射系统形成于所述发光外延叠层的第二表面上，其特征在于，所述全方位反射系统包含：透光性介电层，位于所述发光外延叠层的第二表面上，其内部具有导电通孔；第一透明粘附层，位于所述透光性介电层之远离发光外延叠层的一侧表面上，并覆盖所述导电通孔的侧壁；第二透明粘附层，位于所述第一透明粘附层之远离所述透光性介电层的一侧表面上；金属反射层，位于所述第二透明粘附层之远离所述第一透明粘附层的一侧表面上。

技术领域

本实用新型涉及半导体光电领域，具体涉及一种发光二极管结构。

背景技术

近几年，发光二极管（light emitting diode, 简称LED）得到了广泛的应用，在各种显示系统、照明系统、汽车尾灯等领域起着越来越重要的作用。以AlGaInP材料作为发光层的LED具有较高的内量子效率。对于传统设计的LED来说，有很多因素限制它的外量子效率：内部的全反射、金属电极的阻挡、GaAs等半导体材料对光的吸收。这些LED生长在吸光衬底上，而最终有很大一部分光被衬底吸收。所以对于这种传统的LED结构而言，即使内部的光电转化效率很高，它的外量子效率也不会很高。当前有很多种方法来提高LED出光的提取效率，如加厚窗口层、表面粗化、透明衬底、倒金字塔结构等。

实用新型内容

本实用新型提供了一种发光二极管，其有效提高了发光二极管的外部取光效率。

本实用新型的技术方案为：发光二极管，包括：发光外延叠层和全方位反射系统，其中所述发光外延叠层具有相对的第一表面和第二表面，包含n型半导体层、发光层和p型半导体层；所述全方位反射系统形成于所述发光外延叠层的第二表面上，其特征在于，所述全方位反射系统包含：透光性介电层，位于所述发光外延叠层的第二表面上，其内部具有导电通孔；第一透明粘附层，位于所述透光性介电层之远离发光外延叠层的一侧表面上，并覆盖所述导电通孔的侧壁；第二透明粘附层，位于所述第一透明粘附层之远离所述透光性介电层的一侧表面上；金属反射层，位于所述第二透明粘附层之远离所述第一透明粘附层的一侧表面上。

优选地，所述透光性介电层的厚度为50nm以上。

优选地，所述第一透明粘附层为透明绝缘粘附层，其覆盖所述透明性介电层之远离发光外延叠层的一侧表面。

优选地，所述第一透明粘附层的厚度为20nm以下。

优选地，所述第二透明粘附层为透明导电粘附层。

优选地，所述第二透明粘附层的厚度为10nm以下。

优选地，所述第一透明粘附层的厚度为透光性介电层厚度的1/10以下。

优选地，所述透光性介电层由多个子层构成，所述第一透明粘附层的厚度为所述透光性介电层的任意一子层厚度的1/5以下。

优选地，所述透光性介电层为氟化镁层，第一透明粘附层为氧化硅层，所述第二透明粘附层为溅射型ITO层，所述金属反射层为银反射层。

优选地，所述发光二极管还包括一扩散阻挡层，其包裹所述金属反射层之远离所述发光外延叠层一侧的表面和侧壁。

优选地，所述导电通孔内填充金属欧姆接触层，其远离所述外延叠层一侧的表面与所述第一透明粘附层齐平。

本实用新型的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本实用新型而了解。本实用新型的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明