[实用新型]合成炉喷嘴和三氯氢硅合成炉

说明书

本实用新型涉及合成炉技术领域，是一种合成炉喷嘴和三氯氢硅合成炉；该合成炉喷嘴包括喷管和开口朝下的压帽；在喷管的中部外侧一体固定有环台，压帽的下部内侧和环台的外侧固定安装在一起，喷管的上部分别与压帽的顶部和侧部有间距，环台、喷管与压帽之间形成密封喷射腔，在压帽的中部均布有至少两个与密封喷射腔相通的倾斜朝下的喷射口。本实用新型结构合理而紧凑，使用方便，通过合成炉本体、分隔板和合成炉喷嘴的配合使用，实现合成三氯氢硅的目的，具有安全可靠和供气均匀的特点，防止了合成炉喷嘴的堵塞和漏料的发生，降低了原料的浪费，延长了设备的使用寿命，提高了合成效率，大大降低了生产成本，保证了产品品质。

技术领域

本实用新型涉及合成炉技术领域，是一种合成炉喷嘴和三氯氢硅合成炉。

背景技术

三氯氢硅的生产主要是由合成炉内弥散的硅粉与氯化氢在设定温度条件下化合而成。合成炉结构对三氯氢硅合成效率有着很大的影响，特别是供气机构的影响最大。生产中常规合成炉的结构是立式结构，供气结构位于底部，氯化氢气通过气体分布板上排列的合成炉喷嘴从下向上直线喷入到反应段内。现有技术采用直喷供气结构，该结构比较简单，能够有效供气，但所供气呈层流输入，供气不够均匀，在炉内反应段易形成供气盲区或弱区。导致此区域内因供气不均而合成不足，直接降低了合成炉的合成效率，降低了产品品质，甚至会发生高温结焦，造成合成炉喷嘴口堵塞。

生产三氯氢硅的主要原料为60目至120目的硅粉，干燥状态下的硅粉流动性特别强，现有的供气结构低流量运行及气流波动时极易造成漏料，漏入供气室的硅粉继续与HCL发生反应，由于温度不受控制，生成的附产物增多，严重时会造成设备损坏；停车检修时，必须拆床清理，导致原料损耗。

发明内容

本实用新型提供了一种合成炉喷嘴和三氯氢硅合成炉，克服了上述现有技术之不足，其能有效解决现有合成炉喷嘴和三氯氢硅合成炉存在供气不均匀，易形成供气盲区或弱区，导致合成效率低、影响产品品质、堵塞合成炉喷嘴口、原料损耗大和设备易损坏的问题。

本实用新型的技术方案之一是通过以下措施来实现的：一种合成炉喷嘴，包括喷管和开口朝下的压帽；在喷管的中部外侧一体固定有环台，压帽的下部内侧和环台的外侧固定安装在一起，喷管的上部分别与压帽的顶部和侧部有间距，环台、喷管与压帽之间形成密封喷射腔，在压帽的中部均布有至少两个与密封喷射腔相通的倾斜朝下的喷射口，喷管的顶端高于喷射口的顶端。

下面是对上述实用新型技术方案之一的进一步优化或/和改进：

上述喷射口与竖直面的夹角为45度至60度。

上述位于环台下方喷管的中部外侧一体固定有挡台，挡台的外径大于环台的外径。

上述在压帽的下部内侧设有环槽，喷管外侧的环台固定安装在压帽的环槽内。

上述压帽的上部为上小下大的锥形，压帽的下部外侧为四棱形或六棱形，压帽的下部外径大于压帽的中部外径；或/和，挡台的外侧为四棱形或六棱形；或/和，喷管外侧的环台通过螺纹固定安装在压帽的环槽内。

上述在喷管的下部设有外螺纹。

本实用新型的技术方案之二是通过以下措施来实现的：一种使用合成炉喷嘴的三氯氢硅合成炉，包括合成炉本体和合成炉喷嘴；在合成炉本体的下部设有进气端，在合成炉本体的顶部设有出气端，在合成炉本体的中部设有进料端，在合成炉本体的下部腔体内固定安装有分隔板，在分隔板上均布有与合成炉本体的上部腔体和下部腔体相通的安装孔，在分隔板的安装孔上固定安装有合成炉喷嘴，合成炉喷嘴位于合成炉本体的上部腔体内。

下面是对上述实用新型技术方案之二的进一步优化或/和改进：

上述在合成炉本体的中部外侧固定连接有换热壳，换热壳与对应位置的合成炉本体形成换热环腔，在换热壳的下部设有与换热环腔相通的进水端，在换热壳的上部设有与换热环腔相通的出水端。