[实用新型]发光二极管芯片的封装结构有效
| 申请号： | 201721889098.6 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN207852728U | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 蔡奇风;陈彦亨;林正忠;吴政达 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/48 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管芯片 本实用新型 金属引线 封装材料 焊盘 封装结构 电性 基底 封装 凸点下金属层 扇出型封装 荧光材料层 金属凸块 耐用性能 散热效果 向上延伸 引线结构 透明 装设 芯片 覆盖 | ||
1.一种发光二极管芯片的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：
透明基底，所述透明基底上具有引出焊盘；
金属引线，连接于所述引出焊盘上，所述金属引线向上延伸；
发光二极管芯片，装设于所述引出焊盘上，以实现所述发光二极管芯片的电性引出；
荧光材料层，位于所述发光二极管芯片与所述透明基底之间；
封装材料，覆盖于所述发光二极管芯片，且所述金属引线露出于所述封装材料；以及
凸点下金属层及金属凸块，形成于所述封装材料上，以实现所述金属引线的电性引出。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的封装结构，其特征在于：所述荧光材料层的面积不小于所述发光二极管的出光区域的面积。
3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的封装结构，其特征在于：所述发光二极管芯片的出光面与所述荧光材料紧密相接。
4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的封装结构，其特征在于：所述金属引线的材料包括Au及Cu中的一种。
5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的封装结构，其特征在于：所述封装材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。
6.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的封装结构，其特征在于：所述凸点下金属层及金属凸块包括：
介质层，形成于所述封装材料表面，所述介质层中形成有显露所述金属引线的开孔；
凸点下金属层，制作于所述开孔中，所述凸点下金属层与所述金属引线电性连接；
金属凸块，形成于所述凸点下金属层表面。
7.根据权利要求6所述的发光二极管芯片的封装结构，其特征在于：所述介质层的材料包括环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一种或两种以上组合；所述金属凸块包括金焊球凸块、金锡合金焊球凸块、锡铅合金焊球凸块、锡银合金焊球凸块中的一种。
8.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的封装结构，其特征在于：所述透明基底包括玻璃基底、蓝宝石基底及硅基底中的一种。
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