[实用新型]带封闭式缺口的两片式同步整流二极管

说明书

本实用新型公开了带封闭式缺口的两片式同步整流二极管，包括第一框架、MOSFET芯片、控制IC芯片、第二框架、内置电容，所述第二框架有两个外置引脚，第二框架上设有封闭式缺口，控制IC芯片固定在第二框架，内置电容的外接线端连接第二框架上，内接线端位于封闭式缺口处；第一框架设有一个外置引脚，MOSFET芯片固定在第一框架上；所述MOSFET芯片、控制IC芯片、内置电容之间通过键合线连接。带封闭式缺口的两片式同步整流二极管，优化了结构，整合PAD可利用面积，排除了易造成不良的结构缺陷。

技术领域

本实用新型涉及芯片生产领域，尤其是一种带封闭式缺口的两片式同步整流二极管。

背景技术

肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管。现有的整流元件肖特基二极管存在整流损耗大转换效率低的问题。

同步整流二极管是由控制IC、功率MOSFET及其附属电路组成，从而实现低损耗整流的新技术。现有同步整流结构元件拙而不巧，尺寸较大，散热困难、引脚纤细反复，对安装使用造成一定的困扰。

实用新型内容

为了解决现有技术的不足，本实用新型提出了带封闭式缺口的两片式同步整流二极管，优化了结构，整合PAD可利用面积，排除了易造成不良的结构缺陷。

本实用新型采用如下技术方案：

带封闭式缺口的两片式同步整流二极管，包括第一框架、MOSFET芯片、控制IC芯片、第二框架、内置电容，所述第二框架有两个外置引脚，第二框架上设有封闭式缺口，控制IC 芯片固定在第二框架，内置电容的外接线端连接第二框架上，内接线端位于封闭式缺口处；第一框架设有一个外置引脚，MOSFET芯片固定在第一框架上；所述MOSFET芯片、控制IC芯片、内置电容之间通过键合线连接。

进一步地，所述内置电容为MLCC电容。

进一步地，所述第一框架、第二框架为铜合金框架。

进一步地，所述第一框架、MOSFET芯片、控制IC芯片、第二框架、内置电容通过键合线焊接成型后封装于塑封体内，构成一个整体的同步整流二极管。

更进一步地，所述第一框架的外置引脚为同步整流二极管的阴极，第二框架的外置引脚为同步整流二极管的阳极。

采用如上技术方案取得的有益技术效果为：

顺应半导体整流器件向轻薄化、小型化、表面贴装的发展趋势，本实用新型研发的紧凑型同步整流结构及其制作方法，通过元件集成、优化结构，排除易造成不良的结构缺陷等手段，达到缩小元件尺寸，简化安装工艺，提高散热性之目的，因此该同步整流结构具有极大的优越性。

带封闭式缺口的两片式同步整流二极管，优化了结构，整合PAD可利用面积(PCB或印刷电路板中的焊盘放入面积)，排除了易造成不良的结构缺陷。

利用冲切方式在第二框架上冲出闭合缺口以容纳MLCC电容，该方法保证了框架的完整性并提高了塑封体与框架的结合力，避免了塑封过程中胶体对框架的冲击作用，且整合了第二框架可利用PAD面积，为后期打键合线及扩展提供了空间。

附图说明

图1为带封闭式缺口的两片式同步整流二极管结构示意图。

图2为带封闭式缺口的两片式同步整流二极管制作过程示意图。

图3为带封闭式缺口的两片式同步整流二极管产品封装外形尺寸。

图4为带封闭式缺口的两片式同步整流二极管产品内部控制原理图。

图5为本实用新型正向整流应用电路图。

图6为本实用新型反向整流应用电路图。