[实用新型]一种SiC热电堆型高温热流传感器有效
| 申请号： | 201721869324.4 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN207967050U | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 李铁;田伟;王跃林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L35/22 | 分类号： | H01L35/22;H01L35/32;H01L35/34 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜电阻 复合介质膜 平台区域 高温热流传感器 本实用新型 绝缘介质层 第二表面 第一表面 隔热腔体 热电堆型 硅衬底 高温恶劣环境 高温性能 热电材料 准确测量 单晶SiC 电极 热电堆 热流 凹入 图层 向内 覆盖 金属 | ||
1.一种SiC热电堆型高温热流传感器，其特征在于，包括：
硅衬底，所述硅衬底具有第一表面和第二表面，在所述第一表面上设有沟槽以及由所述沟槽围绕形成的平台区域；其中，所述硅衬底为双抛单晶硅片；
复合介质膜，位于所述硅衬底的第一表面，覆盖所述沟槽表面及所述平台区域表面；
隔热腔体，设于所述硅衬底中，由所述硅衬底的第二表面向内凹入，位于所述平台区域的部分所述复合介质膜的下方；
P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块，位于所述平台区域位置的所述复合介质膜上，且局部位于所述隔热腔体的上方；
绝缘介质层，覆盖所述P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块以及所述复合介质膜；
金属图层，形成于所述绝缘介质层上，包括电极及引线，以将所述P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块连接形成热电堆。
2.根据权利要求1所述的SiC热电堆型高温热流传感器，其特征在于：所述沟槽的深度为1-50μm。
3.根据权利要求1所述的SiC热电堆型高温热流传感器，其特征在于：所述复合介质膜由单层或多层的氧化硅和氮化硅复合而成，厚度为1-10μm。
4.根据权利要求1所述的SiC热电堆型高温热流传感器，其特征在于：所述隔热腔体贯穿所述硅衬底，暴露出部分所述复合介质膜；所述隔热腔体具有矩形或梯形截面。
5.根据权利要求1所述的SiC热电堆型高温热流传感器，其特征在于：所述P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块的材料选自于4H-SiC、6H-SiC、3C-SiC中的一种；所述P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块的厚度小于1μm，厚度偏差不超过3％。
6.根据权利要求1所述的SiC热电堆型高温热流传感器，其特征在于：所述绝缘介质层的材料包括氧化硅、氮化硅的一种或两种。
7.根据权利要求1所述的SiC热电堆型高温热流传感器，其特征在于：所述金属图层的材料选自于钛、钨、铂中的一种或多种。
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