[实用新型]一种芯片的集成装置有效
| 申请号： | 201721860573.7 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN207798140U | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 李向光 | 申请（专利权）人： | 歌尔科技有限公司 |
| 主分类号： | G01D21/02 | 分类号： | G01D21/02 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 王昭智;马佑平 |
| 地址： | 266104 山东省青岛*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电极 下电极 集成装置 衬底 本实用新型 电容器结构 湿敏材料 芯片 湿度传感器 压力传感器 二极管 芯片安装 压力敏感 依次设置 有压力 传感器 上经 封装 掺杂 检测 | ||
1.一种芯片的集成装置，其特征在于：包括衬底，在所述衬底上依次设置有压力传感器的第一下电极、对压力敏感的第一上电极，所述第一下电极、第一上电极之间通过牺牲层支撑；所述第一下电极、第一上电极之间形成的腔体为真空腔体，且构成了压力传感器的电容器结构；
在所述衬底上还设置有第二下电极、第二上电极，在所述第二下电极、第二上电极之间设置有湿敏材料；在所述第二上电极上还设置有将湿敏材料露出的通孔，所述第二下电极、第二上电极、湿敏材料构成了湿度传感器的电容器结构；
在所述衬底上经掺杂还形成有PN结的二极管，所述二极管构成了用于检测温度的温度传感器。
2.根据权利要求1所述的集成装置，其特征在于：所述第一下电极、第二下电极同时形成，所述第一上电极、第二上电极采用相同的材质同时成型。
3.根据权利要求1所述的集成装置，其特征在于：所述第一下电极、第二下电极经过掺杂的工艺在衬底上形成。
4.根据权利要求1所述的集成装置，其特征在于：所述衬底采用单晶硅材质。
5.根据权利要求1所述的集成装置，其特征在于：所述第一上电极、第二上电极为多晶硅材质。
6.根据权利要求1所述的集成装置，其特征在于：在所述第一上电极上设置有腐蚀孔，所述腔体通过所述腐蚀孔腐蚀部分牺牲层得到；还包括填充所述腐蚀孔的钝化层。
7.根据权利要求6所述的集成装置，其特征在于：所述钝化层覆盖在第一上电极、第二上电极的上表面。
8.根据权利要求7所述的集成装置，其特征在于：在所述钝化层上还设置有用于将压力传感器、湿度传感器、温度传感器信号引出的焊盘。
9.根据权利要求1所述的集成装置，其特征在于：在所述第一上电极、第二上电极的下表面设置有钝化层。
10.根据权利要求1所述的集成装置，其特征在于：所述湿敏材料为聚酰亚胺。
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