[实用新型]一种高压LED芯片

说明书

本实用新型公开了一种高压LED芯片，包括面板、加固透镜、壳体、LED芯片、N层半导体、P层半导体，所述面板表面设置多个封装LED，且封装LED与正极导线和负极导线相连接，所述正极导线和负极导线一侧设有壳体，且壳体另一侧设有加固透镜，所述加固透镜内设有塑料透镜，所述塑料透镜与壳体焊接在一起，且塑料透镜一侧设置有金线，所述金线与LED芯片连接，且LED芯片固定在铜嵌块上，所述铜嵌块与壳体通过焊接连接，所述LED芯片内设有N层半导体，且N层半导体与P层半导体通过焊料焊接，所述P层半导体一侧设有衬座，且衬座固定在底座上。本实用新型为一种高压LED芯片，采用加固透镜结构，具有透光度优、使用效果好的优点。

技术领域

本实用新型涉及LED芯片技术领域，具体为一种高压LED芯片。

背景技术

LED芯片，也称LED发光芯片，是LED灯的核心组件，也就是P-N结。随着LED技术的快速发展以及LED发光效率的逐步提升，LED的应用越来越广泛了。而且全球性能源短缺的问题日益严重，导致人们对LED的普及更加的重视。随着社会的发展，各行各业已慢慢普及使用LED光源，不同LED使用的环境也不一样。近年来，LED芯片的设计更倾向于简便化和轻薄化，而高压芯片以其灵活性、多样性及其低成本等优势为市场所看好。不仅如此相对于低压LED芯片，高压LED芯片不需要变压器的降压过程，大大降低了功能损耗，从而进一步的提高光效。针对上述问题的描述以及为了进一步满足社会对LED 芯片苛刻的要求，本实用新型提出了一种高压LED芯片。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种高压LED芯片，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种高压LED芯片，包括面板、加固透镜、壳体、LED芯片、N层半导体、P层半导体，所述面板表面设置多个封装LED，且封装LED与正极导线和负极导线相连接，所述正极导线和负极导线一侧设有壳体，且壳体另一侧设有加固透镜，所述加固透镜内设有塑料透镜，所述塑料透镜与壳体焊接在一起，且塑料透镜一侧设置有金线，所述金线与LED芯片连接，且LED芯片固定在铜嵌块上，所述铜嵌块与壳体通过焊接连接，所述LED芯片内设有N层半导体，且N层半导体与P 层半导体通过焊料焊接，所述P层半导体一侧设有衬座，且衬座固定在底座上，所述衬座一侧设有粘性材料，另一侧设有蓝宝石面。

优选的，所述面板、封装LED、正极导线和负极导线通过焊料焊接。

优选的，所述加固透镜内设有塑料透镜。

优选的，所述衬座、粘性材料和蓝宝石面通过可焊金属焊接连接。

优选的，所述P层半导体和N层半导体之间设有基量子阱。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

本实用新型通过在加固透镜内设置塑料透镜，增加了其透光的效率。通过在壳体下部设置铜嵌块，保证了高压LED芯片在工作过程中能够快速的散去热量，增加其稳定性和使用寿命。P层半导体和N层半导体之间设置有基量子阱，且另一侧通过可焊接金属与衬座等焊接，不仅保证了P-N结的发光面的稳定，同时保证LED芯片在工作中的可靠性。

附图说明

图1为本实用新型一种高压LED芯片整体结构示意图；

图2为本实用新型一种高压LED芯片单个封装LED剖视图；

图3为本实用新型一种高压LED芯片核心示意图。

图中：1-面板；2-负极导线；3-加固透镜；4-壳体；5-正极导线；6-LED 芯片；7-铜嵌块；8-金线；9-塑料透镜；10-蓝宝石面；11-N层半导体；12- 可焊金属；13-底座；14-粘性材料；15-衬座；16-焊料；17-P层半导体。

具体实施方式